AUN062N08BG - описание и поиск аналогов

 

AUN062N08BG. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AUN062N08BG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 74 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 85 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13.7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 674 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0062 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

Аналог (замена) для AUN062N08BG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AUN062N08BG даташит

 ..1. Size:498K  cn anhi
aua062n08bg aub062n08bg aup062n08bg aun062n08bg aud062n08bg.pdfpdf_icon

AUN062N08BG

AUA 8BG, AU N08BG, AUP062 G, A062N08 UB062N 2N08BG AUN 8BG, AU N08BG N062N08 UD062N MO con N-Chan OSFET Silic nnel MOS 1. Applicatio ons Synchronou on in SMPS, us rectificatio Hard switch h speed circu hing and High uit DC/DC in te elecoms and inductrial 2. Features Low drain-s sistance RD 6m (typ.) source on-res DS(ON) = 5.6 High speed power switc ching Enhance

 9.1. Size:967K  cn anhi
aun065n10.pdfpdf_icon

AUN062N08BG

AUN065N10 MOSFET Silicon N-Channel MOS 1. Applications Synchronous Rectification, Power Management, Load Switch 2. Features Proprietary New Trench Technology Fast Recovery Body Diode Low Gate Charge Minimize Switching Loss Table 1 Key Performance Parameters Parameter Value Unit V 100 V DS @ T j,max R 6.5 DS(on),max m Q 67 nC g,typ I 304 A D,pulse 3. Packa

 9.2. Size:740K  cn anhi
aun063n10.pdfpdf_icon

AUN062N08BG

AUN063N10 MOSFET Silicon N-Channel MOS 1. Applications Single-ended flyback or two-transistor forward topologies. PC power, PD Adaptor, LCD & PDP TV and LED lighting. 2. Features Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 5.5m (typ.) Easy to control Gate switching Enhancement mode Vth = 2.4 to 3.4 V Table 1 Key Performance Parameters Parameter Value Unit V 100 V DS @

 9.3. Size:635K  cn anhi
aun065n10 aup065n10.pdfpdf_icon

AUN062N08BG

AUN065N10,AUP065N10 MOSFET Silicon N-Channel MOS 1. Applications Synchronous Rectification, Power Management, Load Switch 2. Features Proprietary New Trench Technology Fast Recovery Body Diode Low Gate Charge Minimize Switching Loss Table 1 Key Performance Parameters Parameter Value Unit V 100 V DS @ T j,max R 6.5 DS(on),max m Q 67 nC g,typ I 304 A D,pulse

Другие MOSFET... AUD062N08BG , AUD069N10A , AUN036N10 , AUN042N055 , AUN045N085 , AUN050N08BGL , AUN053N10 , AUN060N08AG , SI2302 , AUN063N10 , AUN065N10 , AUN084N10 , , , , , .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.