AOL1718 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AOL1718  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10.7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 693 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm

Тип корпуса: ULTRASO8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AOL1718

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOL1718 даташит

 ..1. Size:257K  1
 aol1718.pdf pdf_icon

AOL1718

AOL1718 30V N-Channel MOSFET SRFET TM General Description Product Summary VDS 30V SRFETTM AOL1718 uses advanced trench technology ID (at VGS=10V) 90A with a monolithically integrated Schottky diode to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:253K  aosemi
 aol1712.pdf pdf_icon

AOL1718

AOL1712 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor SRFET TM General Description Features TM VDS (V) = 30V SRFET AOL1712 uses advanced trench ID =65A (VGS = 10V) technology with a monolithically integrated Schottky diode to provide excellent RDS(ON),and low gate RDS(ON)

 9.1. Size:266K  aosemi
 aol1704.pdf pdf_icon

AOL1718

AOL1704 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor SRFET TM General Description Features TM SRFET AOL1704 uses advanced trench VDS (V) = 30V technology with a monolithically integrated Schottky ID =50A (VGS = 10V) diode to provide excellent RDS(ON),and low gate charge. This device is suitable for use as a low side RDS(ON)

 9.2. Size:244K  aosemi
 aol1700.pdf pdf_icon

AOL1718

AOL1700 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor SRFET TM General Description Features TM VDS (V) = 30V SRFET AOL1700 uses advanced trench ID =85A (VGS = 10V) technology with a monolithically integrated Schottky diode to provide excellent RDS(ON),and low gate RDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... BCD4N65, BCT12N65, BCD12N65, H50N06, T50N06, BCD80N06, BCD90N03, BCD70N07A, EMB04N03H