2SK3018WT datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SK3018WT  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 9 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8 Ohm

Тип корпуса: SOT523

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для 2SK3018WT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK3018WT даташит

 ..1. Size:1392K  cn cbi
 2sk3018wt.pdf pdf_icon

2SK3018WT

Plastic-Encapsulate MOSFETS SOT 523 N-channel MOSFET FEATURES Low on-resistance Fast switching speed Low voltage drive makes this device ideal for portable equipment Easily designed drive circuits 1. GATE Easy to parallel 2. SOURCE 3. DRAIN Marking KN MOSFET MAXIMUM RATINGS (Ta = 25 C unless otherwise noted) Equivalent circuit Units Symbol Parameter Value

 0.1. Size:467K  willas
 2sk3018wt1.pdf pdf_icon

2SK3018WT

FM120-M WILLAS 2SK3018WT1 THRU SOT-323 Plastic-Encapsulate MOSFETS FM1200-M 1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS -20V- 200V SOD-123 PACKAGE Pb Free Product Package outline Features Batch process design, excellent power dissipation offers better rMOSFET N-channel everse leakage current and thermal resistance. SOD-123H Low profile surface mounted applicat

 0.2. Size:311K  lrc
 l2sk3018wt1g s-l2sk3018wt1g.pdf pdf_icon

2SK3018WT

L2SK3018WT1G S-L2SK3018WT1G N-channel MOSFET 100 mA, 30 V 1. FEATURES We declare that the material of product compliance with RoHS requirements and Halogen Free. S- prefix for automotive and other applications requiring unique site and control change requirements; AEC-Q101 SC70(SOT-323) qualified and PPAP capable. Low on-resistance. Drain (3) Fast switching sp

 0.3. Size:97K  lrc
 l2sk3018wt1g.pdf pdf_icon

2SK3018WT

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Silicon N-channel MOSFET L2SK3018WT1G 100 mA, 30 V 3 Features 1) Low on-resistance. 1 2) Fast switching speed. 2 3) Low voltage drive (2.5V) makes this device ideal for portable equipment. 4) Easily designed drive circuits. SC-70 5) Easy to parallel. We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. N - Channel MAX

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MSQ60P04D, CS40N27, CS48N75A, CS55N50, CS72N12, CS75N45, CS85105A, CS95118, 5N65