Справочник MOSFET. 3LP01S

 

3LP01S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 3LP01S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 5.7 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 10.4 Ohm
   Тип корпуса: SMCP
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

3LP01S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:48K  sanyo
3lp01s.pdfpdf_icon

3LP01S

Ordering number : EN6681A3LP01SSANYO SemiconductorsDATA SHEETP-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching Device3LP01SApplicationsFeatures Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 2.5V drive.SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS --30 VGate-to-Source Voltage VGSS

 0.1. Size:250K  sanyo
3lp01ss.pdfpdf_icon

3LP01S

Ordering number : EN6648A3LP01SSSANYO SemiconductorsDATA SHEETP-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching Device3LP01SSApplicationsFeatures Low ON-resistance. High-speed switching. 2.5V drive.SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS --30 VGate-to-Source Voltage VGSS 10

 0.2. Size:28K  sanyo
3lp01sp.pdfpdf_icon

3LP01S

Ordering number : ENN66473LP01SPP-Channel Silicon MOSFET3LP01SPUltrahigh-Speed Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON-resistance. unit : mm Ultrahigh-speed switching. 2180 2.5V drive.[3LP01SP]2.24.00.40.50.40.41 2 31.3 1.31 : Source2 : Drain3 : GateSpecifications 3.03.8nom SANYO : SPAAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CP

 0.3. Size:310K  cystek
mtp3lp01s3.pdfpdf_icon

3LP01S

Spec. No. : 794N3 Issued Date : 2011.03.14 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.09.09 Page No. : 1/ 9 30V P-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET BVDSS -30V ID -230mA MTP3LP01S3 3@-4V 4.6@-2.5V RDSON(typ) 10.9@-1.5V Features Ultra high speed switching. Low gate charge. 2.5V drive. Pb-free package. Equivalent Circuit Outline MTP3

Другие MOSFET... 2SK4221 , 2SK4222 , 2SK932 , 3LN01C , 3LN01M , 3LN01S , 3LP01C , 3LP01M , IRF3710 , 5LN01C , 5LN01M , 5LN01SP , 5LN01SS , 5LP01M , ATP101 , ATP102 , ATP103 .

History: IXFB50N80Q2 | CHM4948JGP | RSJ400N10 | PH1930AL | SIA433EDJ | TK560A65Y | IXFP18N65X2

 

 
Back to Top

 


 
.