ATP102 - описание и поиск аналогов

 

ATP102. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ATP102

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 135 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 360 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0185 Ohm

Тип корпуса: ATPAK

Аналог (замена) для ATP102

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ATP102 даташит

 ..1. Size:268K  sanyo
 atp102.pdf pdf_icon

ATP102

ATP102 Ordering number ENA1479 SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ATP102 Applications Features Low ON-resistance. Large current. Slim package. 4.5V drive. Halogen free compliance. Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS

 9.1. Size:469K  sanyo
 atp107.pdf pdf_icon

ATP102

ATP107 Ordering number ENA1603 SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ATP107 Applications Features Low ON-resistance. Large current. Slim package. 4.5V drive. Halogen free compliance. Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS

 9.2. Size:467K  sanyo
 atp101.pdf pdf_icon

ATP102

ATP101 Ordering number ENA1646 SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ATP101 Applications Features Low ON-resistance. Large current. Slim package. 4.5V drive. Halogen free compliance. Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS

 9.3. Size:268K  sanyo
 atp104.pdf pdf_icon

ATP102

ATP104 Ordering number ENA1406 SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ATP104 Applications Features Low ON-resistance. Large current. Slim package. 4.5V drive. Halogen free compliance. Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... 3LP01M , 3LP01S , 5LN01C , 5LN01M , 5LN01SP , 5LN01SS , 5LP01M , ATP101 , 2N7000 , ATP103 , ATP104 , ATP106 , ATP107 , ATP108 , ATP112 , ATP113 , ATP114 .

History: IRFBC20

 

 

 


 
↑ Back to Top
.