ECH8308 - описание и поиск аналогов

 

ECH8308. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ECH8308

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 130 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 720 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0125 Ohm

Тип корпуса: ECH8

Аналог (замена) для ECH8308

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ECH8308 даташит

 ..1. Size:268K  sanyo
ech8308.pdfpdf_icon

ECH8308

Ordering number ENA1182 ECH8308 SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ECH8308 Applications Features Best suited for load switching. Low ON-resistance. 1.8V drive. Halogen free compliance. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS -

 8.1. Size:35K  sanyo
ech8302.pdfpdf_icon

ECH8308

Ordering number ENN8247 ECH8302 P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ECH8302 Applications Features Low ON-resistance. 4V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS --30 V Gate-to-Source Voltage VGSS 20 V Drain Current (DC) ID --7 A Drain Current (Pulse) IDP PW

 8.2. Size:36K  sanyo
ech8304.pdfpdf_icon

ECH8308

Ordering number ENN8255 ECH8304 P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ECH8304 Applications Features Best suited for load switching. Low ON-resistance. 1.8V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS --12 V Gate-to-Source Voltage VGSS 9 V Drain Current (DC) ID

 8.3. Size:36K  sanyo
ech8305.pdfpdf_icon

ECH8308

Ordering number ENN8145 ECH8305 P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ECH8305 Applications Features Low ON-resistance. 4V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS --60 V Gate-to-Source Voltage VGSS 20 V Drain Current (DC) ID --4 A Drain Current (Pulse) IDP PW 1

Другие MOSFET... CPH6350 , CPH6442 , CPH6443 , CPH6444 , CPH6445 , EC3A03B , EC3A04B , EC4401C , 7N60 , ECH8309 , ECH8310 , ECH8315 , ECH8320 , ECH8410 , ECH8419 , ECH8601M , ECH8602M .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.