Справочник MOSFET. ECH8308

 

ECH8308 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ECH8308
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 130 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 720 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0125 Ohm
   Тип корпуса: ECH8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

ECH8308 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:268K  sanyo
 ech8308.pdf pdf_icon

ECH8308

Ordering number : ENA1182ECH8308SANYO SemiconductorsDATA SHEETP-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceECH8308ApplicationsFeatures Best suited for load switching. Low ON-resistance. 1.8V drive. Halogen free compliance.SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS -

 8.1. Size:35K  sanyo
 ech8302.pdf pdf_icon

ECH8308

Ordering number : ENN8247ECH8302P-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceECH8302ApplicationsFeatures Low ON-resistance. 4V drive.SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS --30 VGate-to-Source Voltage VGSS 20 VDrain Current (DC) ID --7 ADrain Current (Pulse) IDP PW

 8.2. Size:36K  sanyo
 ech8304.pdf pdf_icon

ECH8308

Ordering number : ENN8255ECH8304P-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceECH8304ApplicationsFeatures Best suited for load switching. Low ON-resistance. 1.8V drive.SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS --12 VGate-to-Source Voltage VGSS 9 VDrain Current (DC) ID

 8.3. Size:36K  sanyo
 ech8305.pdf pdf_icon

ECH8308

Ordering number : ENN8145 ECH8305P-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceECH8305ApplicationsFeatures Low ON-resistance. 4V drive.SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS --60 VGate-to-Source Voltage VGSS 20 VDrain Current (DC) ID --4 ADrain Current (Pulse) IDP PW1

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... CPH6350 , CPH6442 , CPH6443 , CPH6444 , CPH6445 , EC3A03B , EC3A04B , EC4401C , IRF730 , ECH8309 , ECH8310 , ECH8315 , ECH8320 , ECH8410 , ECH8419 , ECH8601M , ECH8602M .

History: AP9408GM-HF | NCEP026N10F | RFD4N06LSM | SI7913DN | JCS5N50CT | MC11N005 | NVMFS5C628N

 

 
Back to Top

 


 
.