Справочник MOSFET. ECH8310

 

ECH8310 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ECH8310
   Маркировка: JM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(off)|ⓘ - Минимальное напряжение отсечки: 1.2 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 28 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm
   Тип корпуса: ECH8
 

 Аналог (замена) для ECH8310

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ECH8310 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:284K  sanyo
 ech8310.pdf pdf_icon

ECH8310

ECH8310Ordering number : ENA1430SANYO SemiconductorsDATA SHEETP-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceECH8310ApplicationsFeatures 4V drive. Halogen free compliance.Specifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS --30 VGate-to-Source Voltage VGSS 20 VDrain Current (DC)

 8.1. Size:285K  sanyo
 ech8315.pdf pdf_icon

ECH8310

ECH8315Ordering number : ENA1387SANYO SemiconductorsDATA SHEETP-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceECH8315ApplicationsFeatures Low ON-resistance. 4V drive. Halogen free compliance.Specifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS --30 VGate-to-Source Voltage VGSS

 9.1. Size:286K  sanyo
 ech8320.pdf pdf_icon

ECH8310

ECH8320Ordering number : ENA1429SANYO SemiconductorsDATA SHEETP-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceECH8320ApplicationsFeatures Low ON-resistance. 1.8V drive. Halogen free compliance.Specifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS --20 VGate-to-Source Voltage VGSS

 9.2. Size:35K  sanyo
 ech8302.pdf pdf_icon

ECH8310

Ordering number : ENN8247ECH8302P-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceECH8302ApplicationsFeatures Low ON-resistance. 4V drive.SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS --30 VGate-to-Source Voltage VGSS 20 VDrain Current (DC) ID --7 ADrain Current (Pulse) IDP PW

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IRF3707ZS | LND7N65D | BLF368 | IRF6795M | WMK115N15HG4

 

 
Back to Top

 


 
.