MCH6613. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: MCH6613
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.35 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 5.9 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.7 Ohm
Тип корпуса: MCPH6
Аналог (замена) для MCH6613
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
MCH6613 даташит
mch6613.pdf
Ordering number ENN6920 MCH6613 N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs MCH6613 Ultrahigh-Speed Switching Applications Features Package Dimensions The MCH6613 incorporates an N-channel MOSFET unit mm and a P-channel MOSFET that feature low ON- 2173A resistance and high-speed switching, thereby enabling [MCH6613] high-density mounting. 0.3 0.15 Excellent ON-resistance ch
mch6613.pdf
Ordering number EN6920C MCH6613 Power MOSFET http //onsemi.com 30V, 0.35A, 3.7 30V, 0.2A, 10.4 , Complementary Dual MCPH6 Features The MCH6613 incorporates two elements in the same package which are N-channel and P-channel low ON resistance and high-speed switching MOSFETs, thereby enabling high-density mounting Excellent ON-resistance characteristic 1.5V
mch6619.pdf
Ordering number ENN7156 MCH6619 P-Channel Silicon MOSFET MCH6619 Ultrahigh-Speed Switching Applications Features Package Dimensions Low ON-resistance. unit mm Ultrahigh-speed switching. 2173A 4V drive. [MCH6619] Composite type with 2 MOSFETs contained in a single 0.3 0.15 package, facilitaing high-density mounting. 4 5 6 3 2 1 0.65 1 Source1 6 5 4 2.0 2
mch6611.pdf
Ordering number ENN7077 MCH6611 P-Channel Silicon MOSFET MCH6611 Ultrahigh-Speed Switching Applications Preliminary Features Package Dimensions Low ON-resistance. unit mm Ultrahigh-speed switching. 2173A 4V drive. [MCH6611] Composite type with 2 MOSFETs contained in a single 0.3 0.15 package, facilitating high-density mounting. 4 5 6 3 2 1 1 Source1 0.65
Другие MOSFET... MCH6431 , MCH6436 , MCH6437 , MCH6444 , MCH6445 , MCH6601 , MCH6602 , MCH6604 , IRF530 , MGSF1N02L , MGSF1N03L , MGSF2N02EL , MLD1N06CL , MMBF0201NL , MMBF170L , MMBF2201N , MMBF4391L .
History: IRF7343PBF
History: IRF7343PBF
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E | ASD65R350E | ASD65R300E | ASD65R280E | ASD65R270E | ASD60R330E | ASD60R280E | ASB80R750E | ASB70R380E | ASB65R300E | ASB65R220E
Popular searches
mrf450 | oc70 transistor | p0603bd mosfet | p157r5nt | ptp03n04n | sm4377 mosfet datasheet | tip31c reemplazo | 2sa906











