MMBF0201NL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: MMBF0201NL
Маркировка: N1
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.225 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 1.4 nC
trⓘ - Время нарастания: 2.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
Тип корпуса: SOT23
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
MMBF0201NL Datasheet (PDF)
mmbf0201nl mvmbf0201nl.pdf

MMBF0201NL,MVMBF0201NLPower MOSFET300 mAmps, 20 VoltsN-Channel SOT-23www.onsemi.comThese miniature surface mount MOSFETs low RDS(on) assure300 mAMPS - 20 VOLTSminimal power loss and conserve energy, making these devices idealfor use in small power management circuitry. Typical applications areRDS(on) = 1 Wdc-dc converters, power management in portable andbattery-powered
mmbf0201nlt1.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMBF0201NLT1/DMMBF0201NLT1Low rDS(on) Small-Signal MOSFETsMotorola Preferred DeviceTMOS Single N-ChannelField Effect TransistorsNCHANNELENHANCEMENTMODEPart of the GreenLine Portfolio of devices with energycon-TMOS MOSFETserving traits.rDS(on) = 1.0 OHMThese miniature surface mount MOSFETs ut
mmbf0201nlt1-d.pdf

MMBF0201NLT1Preferred DevicePower MOSFET300 mAmps, 20 VoltsN-Channel SOT-23These miniature surface mount MOSFETs low RDS(on) assurehttp://onsemi.comminimal power loss and conserve energy, making these devices idealfor use in small power management circuitry. Typical applications are300 mAMPS - 20 VOLTSdc-dc converters, power management in portable andRDS(on) = 1 Wbattery
mmbf0201nlt1g.pdf

MMBF0201NLT1Gwww.VBsemi.twN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)e Qg (Typ.)Definition0.028 at VGS = 4.5 V TrenchFET Power MOSFET6a 100 % Rg Tested20 0.042 at VGS = 2.5 V 6a 8.8 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.050 at VGS = 1.8 V 5.6APPLICATIONS DC/DC
Другие MOSFET... MCH6601 , MCH6602 , MCH6604 , MCH6613 , MGSF1N02L , MGSF1N03L , MGSF2N02EL , MLD1N06CL , IRFB3607 , MMBF170L , MMBF2201N , MMBF4391L , MMBF4392L , MMBF4393L , MMBFJ175L , MMBFJ177L , MMBFJ309L .
History: IPT65R033G7 | TK3A60DA
History: IPT65R033G7 | TK3A60DA



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
sm4377 mosfet datasheet | tip31c reemplazo | 2sa906 | c2389 transistor | c2634 transistor | mdp1991 datasheet | 40636 transistor | ao3407 datasheet