MMBF0201NL. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: MMBF0201NL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.225 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 2.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для MMBF0201NL
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
MMBF0201NL даташит
mmbf0201nl mvmbf0201nl.pdf
MMBF0201NL, MVMBF0201NL Power MOSFET 300 mAmps, 20 Volts N-Channel SOT-23 www.onsemi.com These miniature surface mount MOSFETs low RDS(on) assure 300 mAMPS - 20 VOLTS minimal power loss and conserve energy, making these devices ideal for use in small power management circuitry. Typical applications are RDS(on) = 1 W dc-dc converters, power management in portable and battery-powered
mmbf0201nlt1.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MMBF0201NLT1/D MMBF0201NLT1 Low rDS(on) Small-Signal MOSFETs Motorola Preferred Device TMOS Single N-Channel Field Effect Transistors N CHANNEL ENHANCEMENT MODE Part of the GreenLine Portfolio of devices with energy con- TMOS MOSFET serving traits. rDS(on) = 1.0 OHM These miniature surface mount MOSFETs ut
mmbf0201nlt1-d.pdf
MMBF0201NLT1 Preferred Device Power MOSFET 300 mAmps, 20 Volts N-Channel SOT-23 These miniature surface mount MOSFETs low RDS(on) assure http //onsemi.com minimal power loss and conserve energy, making these devices ideal for use in small power management circuitry. Typical applications are 300 mAMPS - 20 VOLTS dc-dc converters, power management in portable and RDS(on) = 1 W battery
mmbf0201nlt1g.pdf
MMBF0201NLT1G www.VBsemi.tw N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)e Qg (Typ.) Definition 0.028 at VGS = 4.5 V TrenchFET Power MOSFET 6a 100 % Rg Tested 20 0.042 at VGS = 2.5 V 6a 8.8 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.050 at VGS = 1.8 V 5.6 APPLICATIONS DC/DC
Другие MOSFET... MCH6601 , MCH6602 , MCH6604 , MCH6613 , MGSF1N02L , MGSF1N03L , MGSF2N02EL , MLD1N06CL , IRFP450 , MMBF170L , MMBF2201N , MMBF4391L , MMBF4392L , MMBF4393L , MMBFJ175L , MMBFJ177L , MMBFJ309L .
History: G1825
History: G1825
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASB80R750E | ASB70R380E | ASB65R300E | ASB65R220E | ASB65R120EFD | ASB60R150E | ASA80R900E | ASA80R750E | ASA80R290E | ASA70R950E | ASA70R600E | ASA70R380E | ASA70R240E | ASA65R850E | ASA65R550E | ASA65R350E
Popular searches
sm4377 mosfet datasheet | tip31c reemplazo | 2sa906 | c2389 transistor | c2634 transistor | mdp1991 datasheet | 40636 transistor | ao3407 datasheet




