Справочник MOSFET. MTP50P03HDL

 

MTP50P03HDL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MTP50P03HDL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 74 nC
   trⓘ - Время нарастания: 340 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1550 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB

 Аналог (замена) для MTP50P03HDL

 

 

MTP50P03HDL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:136K  motorola
 mtp50p03hdl.pdf

MTP50P03HDL MTP50P03HDL

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP50P03HDL/DDesigner's Data SheetMTP50P03HDLHDTMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorPChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETLOGIC LEVELThis advanced highcell density HDTMOS power FET is50 AMPERESdesigned to withstand high energy in the avalanche and commuta

 0.1. Size:131K  motorola
 mtp50p03hdlrev2.pdf

MTP50P03HDL MTP50P03HDL

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP50P03HDL/DDesigner's Data SheetMTP50P03HDLHDTMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorPChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETLOGIC LEVELThis advanced highcell density HDTMOS power FET is50 AMPERESdesigned to withstand high energy in the avalanche and commuta

 0.2. Size:85K  onsemi
 mtp50p03hdl-d mtp50p03hdlg.pdf

MTP50P03HDL MTP50P03HDL

MTP50P03HDLPreferred DevicePower MOSFET50 Amps, 30 Volts, Logic LevelP-Channel TO-220This Power MOSFET is designed to withstand high energy in theavalanche and commutation modes. The energy efficient design alsohttp://onsemi.comoffers a drain-to-source diode with a fast recovery time. Designed forlow voltage, high speed switching applications in power supplies,50 AMPERES, 30

 4.1. Size:183K  motorola
 mtp50p03hd.pdf

MTP50P03HDL MTP50P03HDL

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP50P03HDL/DDesigner's Data SheetMTP50P03HDLHDTMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorPChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETLOGIC LEVELThis advanced highcell density HDTMOS power FET is50 AMPERESdesigned to withstand high energy in the avalanche and commuta

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top