NDD04N50Z datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NDD04N50Z  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 61 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 43 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.7 Ohm

Тип корпуса: DPAK IPAK

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для NDD04N50Z

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NDD04N50Z даташит

 ..1. Size:118K  onsemi
 ndd04n50z.pdf pdf_icon

NDD04N50Z

NDD04N50Z N-Channel Power MOSFET 500 V, 2.7 W Features Low ON Resistance Low Gate Charge http //onsemi.com ESD Diode-Protected Gate 100% Avalanche Tested VDSS RDS(on) (MAX) @ 1.5 A These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 500 V 2.7 W ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C unless otherwise noted) N-Channel Rating Symbol Value Unit

 8.1. Size:291K  1
 ndf04n60z ndd04n60z.pdf pdf_icon

NDD04N50Z

NDF04N60Z, NDD04N60Z Power MOSFET, N-Channel, 600 V, 2.0 W Features Low ON Resistance Low Gate Charge www.onsemi.com ESD Diode-Protected Gate 100% Avalanche Tested VDSS (@ TJmax) RDS(on) (MAX) @ 2 A These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 650 V 2.0 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C unless otherwise noted) N-Channel Param

 8.2. Size:148K  1
 ndf04n60z ndp04n60z ndd04n60z.pdf pdf_icon

NDD04N50Z

NDF04N60Z, NDP04N60Z, NDD04N60Z N-Channel Power MOSFET 1.8 W, 600 Volts Features http //onsemi.com Low ON Resistance Low Gate Charge 100% Avalanche Tested VDSS RDS(ON) (TYP) @ 2 A These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant 600 V 1.8 Applications Adapter (Notebook, Printer, Gaming) LCD Panel Power Lighting Ballasts 4 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

 8.3. Size:136K  onsemi
 ndf04n60z ndd04n60z.pdf pdf_icon

NDD04N50Z

NDF04N60Z, NDD04N60Z N-Channel Power MOSFET 600 V, 2.0 W Features Low ON Resistance Low Gate Charge www.onsemi.com ESD Diode-Protected Gate 100% Avalanche Tested VDSS (@ TJmax) RDS(on) (MAX) @ 2 A These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 650 V 2.0 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C unless otherwise noted) N-Channel Paramete

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NCV8403, NCV8405, NCV8406, NCV8440, NCV8450, NDD02N60Z, NDD03N50Z, NDD03N60Z, SI2302, NDD04N60Z, FDME910PZT, NDD05N50Z, NDF02N60Z, NDF03N60Z, NDF04N60Z, FDMA910PZ, NDF04N62Z