Справочник MOSFET. NIMD6001

 

NIMD6001 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NIMD6001
   Маркировка: D6001N_D6001A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 8.3 nC
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm
   Тип корпуса: SOIC8
 

 Аналог (замена) для NIMD6001

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NIMD6001 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:197K  onsemi
 nimd6001n nimd6001an.pdf pdf_icon

NIMD6001

NIMD6001N, NIMD6001ANDual N-Channel Driver withDiagnostic Output60 V, 3 A, 110 mWNIMD6001N/AN is a dual 3 Amp low-side switch with anintegrated common disable input and drain diagnostic output. Pullinghttp://onsemi.comthe Disable pin low will override any applied gate voltages and turn offboth FET switches. Should either Drain-Source voltage exceed3.0 AMPERESapproximately 50

 0.2. Size:206K  onsemi
 nimd6001n.pdf pdf_icon

NIMD6001

NIMD6001N, NIMD6001ANDual N-Channel Driver withDiagnostic Output60 V, 3 A, 110 mWNIMD6001N/AN is a dual 3 Amp low-side switch with anintegrated common disable input and drain diagnostic output. Pullinghttp://onsemi.comthe Disable pin low will override any applied gate voltages and turn offboth FET switches. Should either Drain-Source voltage exceed3.0 AMPERESapproximately 50

 9.1. Size:158K  onsemi
 nimd6302r2.pdf pdf_icon

NIMD6001

NIMD6302R2HDPlus Dual N-ChannelSelf-protected Field EffectTransistors with 1:200Current Mirror FEThttp://onsemi.comHDPlus devices are an advanced series of power MOSFET whichutilize ON Semiconductors latest MOSFET technology process toachieve the lowest possible on-resistance per silicon area while5.0 AMPERESincorporating smart features. They are capable of withstanding h

Другие MOSFET... NDF10N60Z , FDMS7678 , NDF10N62Z , NDF11N50Z , NIC9N05TS1 , NID6002N , NID9N05CL , NIF9N05CL , IRF640N , FDD4N60NZ , NTA4001N , NTA4151P , NTA4153N , NTA7002N , NTB25P06 , NTB35N15 , NTB45N06 .

History: H7N0310LS

 

 
Back to Top

 


 
.