Справочник MOSFET. NTD4806N

 

NTD4806N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTD4806N
   Маркировка: 4806N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 76 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 15 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 29.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 480 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для NTD4806N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTD4806N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:124K  onsemi
ntd4806n.pdfpdf_icon

NTD4806N

NTD4806NPower MOSFET30 V, 76 A, Single N-Channel, DPAK/IPAKFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losseshttp://onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses These are Pb-Free DevicesV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAXApplications6.0 mW @ 10 V CPU Power Delivery30 V 76 A9.4 mW @ 4.5 V DC-DC Con

 0.1. Size:153K  onsemi
ntd4806n-1g.pdfpdf_icon

NTD4806N

NTD4806N, NVD4806NPower MOSFET30 V, 76 A, Single N-Channel, DPAK/IPAKFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losseshttp://onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable - NVD4806NV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant6.0 mW @

 8.1. Size:116K  onsemi
ntd4805n nvd4805n.pdfpdf_icon

NTD4806N

NTD4805N, NVD4805NPower MOSFET30 V, 88 A, Single N-Channel, DPAK/IPAKFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losseshttp://onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses NVD Prefix for Automotive and Other Applications RequiringV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAXUnique Site and Control Change Requirements; AEC-Q

 8.2. Size:150K  onsemi
ntd4809n-1g.pdfpdf_icon

NTD4806N

NTD4809NPower MOSFET30 V, 58 A, Single N-Channel, DPAK/IPAKFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losseshttp://onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses These are Pb-Free DevicesV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAXApplications9.0 mW @ 10 V CPU Power Delivery30 V 58 A14 mW @ 4.5 V DC-DC Conv

Другие MOSFET... NTD3055-094 , NTD3055-150 , NTD3055L104 , NTD3055L170 , NTD40N03R , NTD4302 , NTD4804N , NTD4805N , IRLB4132 , NTD4808N , NTD4809N , NTD4810N , NTD4813N , NTD4813NH , NTD4815N , NTD4855N , NTD4856N .

 

 
Back to Top

 


 
.