Справочник MOSFET. NTD4863N

 

NTD4863N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTD4863N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 49 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 253 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0093 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTD4863N Datasheet (PDF)

 0.1. Size:296K  onsemi
 ntd4863n-1g ntd4863n-d.pdf pdf_icon

NTD4863N

NTD4863NPower MOSFET25 V, 49 A, Single N--Channel, DPAK/IPAKFeatures Trench Technology Low RDS(on) to Minimize Conduction Losseshttp://onsemi.com Low Capacitance to Minimize Driver Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching LossesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These are Pb--Free Devices9.3 m @10V25 V49 AApplications14 m @4.5 V VCORE App

 8.1. Size:100K  onsemi
 ntd4865n.pdf pdf_icon

NTD4863N

NTD4865NPower MOSFET25 V, 44 A, Single N-Channel, DPAK/IPAKFeatures Trench Technology Low RDS(on) to Minimize Conduction Losseshttp://onsemi.com Low Capacitance to Minimize Driver Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching LossesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These are Pb-Free Devices10.9 mW @ 10 V25 V44 AApplications17.2 mW @ 4.5 V VCORE A

 8.2. Size:118K  onsemi
 ntd4860n.pdf pdf_icon

NTD4863N

NTD4860NPower MOSFET25 V, 65 A, Single N-Channel, DPAK/IPAKFeatures Trench Technology Low RDS(on) to Minimize Conduction Losseshttp://onsemi.com Low Capacitance to Minimize Driver Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These are Pb-Free Devices7.5 mW @ 10 V25 V65 A11.1 mW @ 4.5 VApplications VCORE App

 8.3. Size:282K  onsemi
 ntd4860n-1g ntd4860n.pdf pdf_icon

NTD4863N

NTD4860NPower MOSFET25 V, 65 A, Single N--Channel, DPAK/IPAKFeatures Trench Technology Low RDS(on) to Minimize Conduction Losseshttp://onsemi.com Low Capacitance to Minimize Driver Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching LossesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These are Pb--Free Devices7.5 m @10V25 V65 AApplications11.1 m @4.5 V VCORE A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... NTD4813N , NTD4813NH , NTD4815N , NTD4855N , NTD4856N , NTD4857N , NTD4858N , NTD4860N , STP80NF70 , NTD4865N , NTD4904N , NTD4906N , NTD4909N , NTD4910N , NTD4913N , NTD4960N , NTD4963N .

 

 
Back to Top

 


 
.