NTGS3136P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: NTGS3136P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.1 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 274 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.033 Ohm
Тип корпуса: TSOP6
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
NTGS3136P Datasheet (PDF)
ntgs3136p nvgs3136p.pdf

NTGS3136P, NVGS3136PMOSFET Power, Single,P-Channel, TSOP-6-20 V, -5.8 AFeatureswww.onsemi.com Low RDS(on) in TSOP-6 Package 1.8 V Gate RatingV(BR)DSS RDS(ON) TYP ID MAX Fast Switching25 mW @ -4.5 V -5.1 A NV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique-20 V 32 mW @ -2.5 V -4.5 ASite and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified an
ntgs3136p-d ntgs3136pt1g.pdf

NTGS3136PPower MOSFET-20 V, -5.8 A, Single P-Channel, TSOP-6Features Low RDS(on) in TSOP-6 Package 1.8 V Gate Ratinghttp://onsemi.com Fast Switching This is a Pb-Free DeviceV(BR)DSS RDS(ON) TYP ID MAXApplications25 mW @ -4.5 V -5.1 A Optimized for Battery and Load Management Applications in-20 V 32 mW @ -2.5 V -4.5 APortable Equipment41 mW @ -1.8 V -
ntgs3136pt1g.pdf

NTGS3136PT1Gwww.VBsemi.twP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.049 at VGS = - 10 V - 4.8 TrenchFET Power MOSFET- 30 5.1 nC0.054 at VGS = - 4.5 V - 4.1APPLICATIONS Load SwitchTSOP-6(4) STop V iew1 6(3) G3 mm523 4(1, 2, 5, 6) D2.85 mm
ntgs3130n ntgs3130nt1g.pdf

NTGS3130NPower MOSFET20 V, 5.6 A SingleN-Channel, TSOP-6Features Leading Edge Trench Technology for Low On Resistancehttp://onsemi.com Low Gate Charge for Fast Switching Small Size (3 x 2.75 mm) TSOP-6 PackageV(BR)DSS RDS(on) mAX ID Max This is a Pb-Free Device24 mW @ 4.5 V 5.6 AApplications20 V DC-DC Converters32 mW @ 2.5 V 4.9 A Lithium Ion Ba
Другие MOSFET... NTF3055L108 , NTF5P03T3 , NTF6P02 , NTGD1100L , NTGD3148N , NTGD4161P , NTGD4167C , NTGS3130N , 50N06 , NTGS3433 , NTGS3441 , NTGS3443 , NTGS3446 , NTGS3455 , NTGS4111P , NTGS4141N , NTGS5120P .
History: IRF241 | NCE70T180D
History: IRF241 | NCE70T180D



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
c945 transistor datasheet | bt137 datasheet | 2n2907a datasheet | irfz24n | bd135 | d880 | 2n5457 equivalent | 2sc945 replacement