NTGS3136P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NTGS3136P  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 274 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.033 Ohm

Тип корпуса: TSOP6

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для NTGS3136P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTGS3136P даташит

 ..1. Size:201K  onsemi
ntgs3136p nvgs3136p.pdfpdf_icon

NTGS3136P

NTGS3136P, NVGS3136P MOSFET Power, Single, P-Channel, TSOP-6 -20 V, -5.8 A Features www.onsemi.com Low RDS(on) in TSOP-6 Package 1.8 V Gate Rating V(BR)DSS RDS(ON) TYP ID MAX Fast Switching 25 mW @ -4.5 V -5.1 A NV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique -20 V 32 mW @ -2.5 V -4.5 A Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified an

 0.1. Size:113K  onsemi
ntgs3136p-d ntgs3136pt1g.pdfpdf_icon

NTGS3136P

NTGS3136P Power MOSFET -20 V, -5.8 A, Single P-Channel, TSOP-6 Features Low RDS(on) in TSOP-6 Package 1.8 V Gate Rating http //onsemi.com Fast Switching This is a Pb-Free Device V(BR)DSS RDS(ON) TYP ID MAX Applications 25 mW @ -4.5 V -5.1 A Optimized for Battery and Load Management Applications in -20 V 32 mW @ -2.5 V -4.5 A Portable Equipment 41 mW @ -1.8 V -

 0.2. Size:1720K  cn vbsemi
ntgs3136pt1g.pdfpdf_icon

NTGS3136P

NTGS3136PT1G www.VBsemi.tw P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.049 at VGS = - 10 V - 4.8 TrenchFET Power MOSFET - 30 5.1 nC 0.054 at VGS = - 4.5 V - 4.1 APPLICATIONS Load Switch TSOP-6 (4) S Top V iew 1 6 (3) G 3 mm 5 2 3 4 (1, 2, 5, 6) D 2.85 mm

 7.1. Size:87K  onsemi
ntgs3130n ntgs3130nt1g.pdfpdf_icon

NTGS3136P

NTGS3130N Power MOSFET 20 V, 5.6 A Single N-Channel, TSOP-6 Features Leading Edge Trench Technology for Low On Resistance http //onsemi.com Low Gate Charge for Fast Switching Small Size (3 x 2.75 mm) TSOP-6 Package V(BR)DSS RDS(on) mAX ID Max This is a Pb-Free Device 24 mW @ 4.5 V 5.6 A Applications 20 V DC-DC Converters 32 mW @ 2.5 V 4.9 A Lithium Ion Ba

Другие IGBT... NTF3055L108, NTF5P03T3, NTF6P02, NTGD1100L, NTGD3148N, NTGD4161P, NTGD4167C, NTGS3130N, 50N06, NTGS3433, NTGS3441, NTGS3443, NTGS3446, NTGS3455, NTGS4111P, NTGS4141N, NTGS5120P