NTHS4166N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: NTHS4166N
Маркировка: 466*
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.3 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.9 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 9.2 nC
trⓘ - Время нарастания: 13 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
Тип корпуса: CHIPFET8
NTHS4166N Datasheet (PDF)
nths4166n nths4166nt1g.pdf
NTHS4166NPower MOSFET30 V, 8.2 A, Single N-Channel, ChipFETt PackageFeatureshttp://onsemi.com Trench Technology Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Leadless ChipFET Package has 40% Smaller Footprint than TSOP-6V(BR)DSS RDS(on) Max ID Max Excellent Thermal Capabilities22 mW @ 10 V This is a Pb-Free Device30 V 8.2 A27 mW @ 4.5 VApplications
nths4111pt1g.pdf
NTHS4111PPower MOSFET-30 V, -6.1 A, Single P-Channel, ChipFETtFeatures Offers an Ultra Low RDS(on) Solution in the ChipFET Packagehttp://onsemi.com ChipFET Package 40% Smaller Footprint than TSOP-6 Low Profile (
nths4101p-d.pdf
NTHS4101PPower MOSFET-20 V, 6.7 A, P-Channel ChipFETtFeatures Offers an Ultra Low RDS(on) Solution in the ChipFET Package Miniature ChipFET Package 40% Smaller Footprint than TSOP-6http://onsemi.commaking it an Ideal Device for Applications where Board Space is at aPremiumV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Low Profile (
nths4101p.pdf
NTHS4101PMOSFET Power,P-Channel, ChipFET-20 V, 6.7 AFeatures Offers an Ultra Low RDS(on) Solution in the ChipFET Packagehttp://onsemi.com Miniature ChipFET Package 40% Smaller Footprint than TSOP-6making it an Ideal Device for Applications where Board Space is at a V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAXPremium21 mW @ -4.5 V Low Profile (
nths4101pt1g.pdf
NTHS4101PPower MOSFET-20 V, 6.7 A, P-Channel ChipFETtFeatures Offers an Ultra Low RDS(on) Solution in the ChipFET Package Miniature ChipFET Package 40% Smaller Footprint than TSOP-6http://onsemi.commaking it an Ideal Device for Applications where Board Space is at aPremiumV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Low Profile (
Другие MOSFET... NTHD3101F , NTHD3102C , NTHD3133PF , NTHD4102P , NTHD4502N , NTHD4508N , SRC60R090B , NTHS4101P , K3569 , NTHS5404 , NTHS5441T1 , NTHS5443 , NTJD1155L , NTJD4001N , NTJD4105C , NTJD4152P , NTJD4158C .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918