NTJS4405N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: NTJS4405N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.63 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 4.7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 22.4 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm
Тип корпуса: SC88 SOT363
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
NTJS4405N Datasheet (PDF)
ntjs4405n.pdf

NTJS4405NSmall Signal MOSFET25 V, 1.2 A, Single, N-Channel, SC-88Features Advance Planar Technology for Fast Switching, Low RDS(on)http://onsemi.com Higher Efficiency Extending Battery LifeV(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max Pb-Free Packages are Available249 mW @ 4.5 V25 V 1.2 AApplications299 mW @ 2.7 V Boost and Buck Converter Load Switch N-Channel Batt
ntjs4405n nvjs4405n.pdf

NTJS4405N, NVJS4405NMOSFET Single,N-Channel, Small Signal,SC-8825 V, 1.2 Ahttp://onsemi.comFeaturesV(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max Advance Planar Technology for Fast Switching, Low RDS(on)249 mW @ 4.5 V Higher Efficiency Extending Battery Life25 V 1.2 A299 mW @ 2.7 V AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable - NVJS4405N These Devices are Pb-Free and are RoHS Co
ntjs4405nt1 ntjs4405nt4 nvjs4405n.pdf

NTJS4405N, NVJS4405NSmall Signal MOSFET25 V, 1.2 A, Single, N-Channel, SC-88Features Advance Planar Technology for Fast Switching, Low RDS(on)http://onsemi.com Higher Efficiency Extending Battery LifeV(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable - NVJS4405N249 mW @ 4.5 V These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant25 V 1.2 A299 mW @ 2.7
ntjs4151p ntjs4151pt1 ntjs4151pt1g.pdf

NTJS4151PTrench Power MOSFET-20 V, -4.2 A, Single P-Channel, SC-88Features Leading Trench Technology for Low RDS(ON) Extending Battery Life http://onsemi.com SC-88 Small Outline (2x2 mm) for Maximum Circuit BoardV(BR)DSS RDS(on) Typ ID MaxUtilization, Same as SC-70-647 mW @ -4.5 V Gate Diodes for ESD Protection-20 V 70 mW @ -2.5 V -4.2 A Pb-Free Package is Avai
Другие MOSFET... NTJD4105C , NTJD4152P , NTJD4158C , NTJD4401N , NTJD5121N , NTJS3151P , NTJS3157N , NTJS4151P , IRFP450 , NTK3043N , NTK3134N , NTK3139P , NTLGD3502N , NTLGF3402P , NTLJD3115P , NTLJD3119C , NTLJD4116N .
History: SUP45N05-20L | NTMFS6H864NL | CS13N60F | NP90N04MUK | AFP3993 | AF12N65S | STP5NB40
History: SUP45N05-20L | NTMFS6H864NL | CS13N60F | NP90N04MUK | AFP3993 | AF12N65S | STP5NB40



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
irf3710 pinout | irf9530 datasheet | mj21194 | oc71 transistor | 2n3440 | bc550c | 2n3904 transistor datasheet | p75nf75