NTJS4405N. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: NTJS4405N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.63 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 4.7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 22.4 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm
Аналог (замена) для NTJS4405N
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
NTJS4405N даташит
ntjs4405n.pdf
NTJS4405N Small Signal MOSFET 25 V, 1.2 A, Single, N-Channel, SC-88 Features Advance Planar Technology for Fast Switching, Low RDS(on) http //onsemi.com Higher Efficiency Extending Battery Life V(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max Pb-Free Packages are Available 249 mW @ 4.5 V 25 V 1.2 A Applications 299 mW @ 2.7 V Boost and Buck Converter Load Switch N-Channel Batt
ntjs4405n nvjs4405n.pdf
NTJS4405N, NVJS4405N MOSFET Single, N-Channel, Small Signal, SC-88 25 V, 1.2 A http //onsemi.com Features V(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max Advance Planar Technology for Fast Switching, Low RDS(on) 249 mW @ 4.5 V Higher Efficiency Extending Battery Life 25 V 1.2 A 299 mW @ 2.7 V AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable - NVJS4405N These Devices are Pb-Free and are RoHS Co
ntjs4405nt1 ntjs4405nt4 nvjs4405n.pdf
NTJS4405N, NVJS4405N Small Signal MOSFET 25 V, 1.2 A, Single, N-Channel, SC-88 Features Advance Planar Technology for Fast Switching, Low RDS(on) http //onsemi.com Higher Efficiency Extending Battery Life V(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable - NVJS4405N 249 mW @ 4.5 V These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant 25 V 1.2 A 299 mW @ 2.7
ntjs4151p ntjs4151pt1 ntjs4151pt1g.pdf
NTJS4151P Trench Power MOSFET -20 V, -4.2 A, Single P-Channel, SC-88 Features Leading Trench Technology for Low RDS(ON) Extending Battery Life http //onsemi.com SC-88 Small Outline (2x2 mm) for Maximum Circuit Board V(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max Utilization, Same as SC-70-6 47 mW @ -4.5 V Gate Diodes for ESD Protection -20 V 70 mW @ -2.5 V -4.2 A Pb-Free Package is Avai
Другие MOSFET... NTJD4105C , NTJD4152P , NTJD4158C , NTJD4401N , NTJD5121N , NTJS3151P , NTJS3157N , NTJS4151P , SPP20N60C3 , NTK3043N , NTK3134N , NTK3139P , NTLGD3502N , NTLGF3402P , NTLJD3115P , NTLJD3119C , NTLJD4116N .
History: FCP190N65F | RCJ050N25 | H04N65E | AOD4124
History: FCP190N65F | RCJ050N25 | H04N65E | AOD4124
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
irf3710 pinout | irf9530 datasheet | mj21194 | oc71 transistor | 2n3440 | bc550c | 2n3904 transistor datasheet | p75nf75





