Справочник MOSFET. NTMFS4833N

 

NTMFS4833N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NTMFS4833N
   Маркировка: 4833N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 39 nC
   trⓘ - Время нарастания: 34 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1200 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.002 Ohm
   Тип корпуса: SO8FL

 Аналог (замена) для NTMFS4833N

 

 

NTMFS4833N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:89K  onsemi
 ntmfs4833n.pdf

NTMFS4833N NTMFS4833N

NTMFS4833NPower MOSFET30 V, 191 A, Single N-Channel, SO-8 FLFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losseshttp://onsemi.com These are Pb-Free Devices*ApplicationsV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX CPU Power Delivery DC-DC Converters 2.0 mW @ 10 V30 V191 A

 0.1. Size:880K  onsemi
 ntmfs4833na.pdf

NTMFS4833N NTMFS4833N

 0.2. Size:139K  onsemi
 ntmfs4833nt1g.pdf

NTMFS4833N NTMFS4833N

NTMFS4833NPower MOSFET30 V, 191 A, Single N-Channel, SO-8FLFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losseshttp://onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses These are Pb-Free DevicesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXApplications Refer to Application Note AND8195/D2.0 mW @ 10 V30 V191 A CPU Po

 0.3. Size:139K  onsemi
 ntmfs4833ns.pdf

NTMFS4833N NTMFS4833N

NTMFS4833NSSENSEFET) Power MOSFET30 V, 156 A, Single N-Channel, SO-8 FLFeatures Accurate, Lossless Current Sensing Low RDS(on) to Minimize Conduction Losseshttp://onsemi.com Low Capacitance to Minimize Driver Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching LossesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS2.2 m

 0.4. Size:139K  onsemi
 ntmfs4833nst1g.pdf

NTMFS4833N NTMFS4833N

NTMFS4833NSSENSEFET) Power MOSFET30 V, 156 A, Single N-Channel, SO-8 FLFeatures Accurate, Lossless Current Sensing Low RDS(on) to Minimize Conduction Losseshttp://onsemi.com Low Capacitance to Minimize Driver Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching LossesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS2.2 m

Другие MOSFET... NTMD6N03R2 , NTMD6N04R2 , S60N12S , NTMFS4119N , NTMFS4821N , NTMFS4823N , NTMFS4825NFE , NTMFS4826NE , NCEP15T14 , NTMFS4833NS , NTMFS4834N , NTMFS4835N , NTMFS4836N , NTMFS4841N , S60N12RN , NTMFS4846N , NTMFS4847N .

 

 

Back to Top