Справочник MOSFET. NTMFS4841N

 

NTMFS4841N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NTMFS4841N
   Маркировка: 4841N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.17 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 11.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 66.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 348 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
   Тип корпуса: SO8FL

 Аналог (замена) для NTMFS4841N

 

 

NTMFS4841N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:145K  onsemi
 ntmfs4841n.pdf

NTMFS4841N NTMFS4841N

NTMFS4841NPower MOSFET30 V, 57 A, Single N-Channel, SO-8FLFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losseshttp://onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses These are Pb-Free Devices*V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXApplications7.0 mW @ 10 V Refer to Application Note AND8195/D30 V57 A11.4 mW @ 4

 0.1. Size:138K  onsemi
 ntmfs4841nh.pdf

NTMFS4841N NTMFS4841N

NTMFS4841NHPower MOSFET30 V, 59 A, Single N-Channel, SO-8FLFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losseshttp://onsemi.com Low RG These are Pb-Free Devices*V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXApplications7.0 mW @ 10 V Refer to Application Note AND8195/D30 V59 A

 0.2. Size:108K  onsemi
 ntmfs4841nht1g.pdf

NTMFS4841N NTMFS4841N

NTMFS4841NHPower MOSFET30 V, 59 A, Single N-Channel, SO-8FLFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losseshttp://onsemi.com Low RG These are Pb-Free DevicesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXApplications7.0 mW @ 10 V Refer to Application Note AND8195/D30 V59 A

 0.3. Size:115K  onsemi
 ntmfs4841nt1g.pdf

NTMFS4841N NTMFS4841N

NTMFS4841NPower MOSFET30 V, 57 A, Single N-Channel, SO-8FLFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losseshttp://onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses These are Pb-Free DevicesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXApplications7.0 mW @ 10 V Refer to Application Note AND8195/D30 V57 A11.4 mW @ 4.

Другие MOSFET... NTMFS4823N , NTMFS4825NFE , NTMFS4826NE , NTMFS4833N , NTMFS4833NS , NTMFS4834N , NTMFS4835N , NTMFS4836N , AO3401 , S60N12RN , NTMFS4846N , NTMFS4847N , NTMFS4851N , NTMFS4852N , NTMFS4854NS , S60N12RP , NTMFS4898NF .

 

 
Back to Top