NTMFS4841N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: NTMFS4841N
Маркировка: 4841N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.17 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 13.1 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 11.5 nC
Время нарастания (tr): 66.5 ns
Выходная емкость (Cd): 348 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.007 Ohm
Тип корпуса: SO8FL
Аналог (замена) для NTMFS4841N
NTMFS4841N Datasheet (PDF)
ntmfs4841n.pdf
NTMFS4841NPower MOSFET30 V, 57 A, Single N-Channel, SO-8FLFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losseshttp://onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses These are Pb-Free Devices*V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXApplications7.0 mW @ 10 V Refer to Application Note AND8195/D30 V57 A11.4 mW @ 4
ntmfs4841nh.pdf
NTMFS4841NHPower MOSFET30 V, 59 A, Single N-Channel, SO-8FLFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losseshttp://onsemi.com Low RG These are Pb-Free Devices*V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXApplications7.0 mW @ 10 V Refer to Application Note AND8195/D30 V59 A
ntmfs4841nht1g.pdf
NTMFS4841NHPower MOSFET30 V, 59 A, Single N-Channel, SO-8FLFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losseshttp://onsemi.com Low RG These are Pb-Free DevicesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXApplications7.0 mW @ 10 V Refer to Application Note AND8195/D30 V59 A
ntmfs4841nt1g.pdf
NTMFS4841NPower MOSFET30 V, 57 A, Single N-Channel, SO-8FLFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losseshttp://onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses These are Pb-Free DevicesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXApplications7.0 mW @ 10 V Refer to Application Note AND8195/D30 V57 A11.4 mW @ 4.
Другие MOSFET... NTMFS4823N , NTMFS4825NFE , NTMFS4826NE , NTMFS4833N , NTMFS4833NS , NTMFS4834N , NTMFS4835N , NTMFS4836N , IRFB3306 , S60N12RN , NTMFS4846N , NTMFS4847N , NTMFS4851N , NTMFS4852N , NTMFS4854NS , S60N12RP , NTMFS4898NF .
