NTMFS4841N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: NTMFS4841N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.17 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13.1 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 66.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 348 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
Тип корпуса: SO8FL
Аналог (замена) для NTMFS4841N
NTMFS4841N Datasheet (PDF)
ntmfs4841n.pdf

NTMFS4841NPower MOSFET30 V, 57 A, Single N-Channel, SO-8FLFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losseshttp://onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses These are Pb-Free Devices*V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXApplications7.0 mW @ 10 V Refer to Application Note AND8195/D30 V57 A11.4 mW @ 4
ntmfs4841nh.pdf

NTMFS4841NHPower MOSFET30 V, 59 A, Single N-Channel, SO-8FLFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losseshttp://onsemi.com Low RG These are Pb-Free Devices*V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXApplications7.0 mW @ 10 V Refer to Application Note AND8195/D30 V59 A
ntmfs4841nht1g.pdf

NTMFS4841NHPower MOSFET30 V, 59 A, Single N-Channel, SO-8FLFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losseshttp://onsemi.com Low RG These are Pb-Free DevicesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXApplications7.0 mW @ 10 V Refer to Application Note AND8195/D30 V59 A
ntmfs4841nt1g.pdf

NTMFS4841NPower MOSFET30 V, 57 A, Single N-Channel, SO-8FLFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losseshttp://onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses These are Pb-Free DevicesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXApplications7.0 mW @ 10 V Refer to Application Note AND8195/D30 V57 A11.4 mW @ 4.
Другие MOSFET... NTMFS4823N , NTMFS4825NFE , NTMFS4826NE , NTMFS4833N , NTMFS4833NS , NTMFS4834N , NTMFS4835N , NTMFS4836N , IRF730 , S60N12RN , NTMFS4846N , NTMFS4847N , NTMFS4851N , NTMFS4852N , NTMFS4854NS , S60N12RP , NTMFS4898NF .
History: TK70J04J3 | SI7463DP



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
j201 datasheet | 2n5088 datasheet | irfp064n | tip31 transistor | 2sc1384 | mj21196g | irfb4115 | 21270 transistor