Справочник MOSFET. NTMFS4854NS

 

NTMFS4854NS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTMFS4854NS
   Маркировка: 4854NS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.31 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 36 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 54 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1130 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm
   Тип корпуса: SO8FL
 

 Аналог (замена) для NTMFS4854NS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTMFS4854NS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:120K  onsemi
 ntmfs4854ns.pdf pdf_icon

NTMFS4854NS

NTMFS4854NSSENSEFET Power MOSFET25 V, 149 A, Single N-Channel, SO-8 FLFeatures Accurate, Lossless Current Sensing Low RDS(on) to Minimize Conduction Losseshttp://onsemi.com Low Capacitance to Minimize Driver Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching LossesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS2.5

 0.1. Size:110K  onsemi
 ntmfs4854nst1g.pdf pdf_icon

NTMFS4854NS

NTMFS4854NSSENSEFET Power MOSFET25 V, 149 A, Single N-Channel, SO-8 FLFeatures Accurate, Lossless Current Sensing Low RDS(on) to Minimize Conduction Losseshttp://onsemi.com Low Capacitance to Minimize Driver Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching LossesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS2.5

 6.1. Size:107K  onsemi
 ntmfs4852nt1g.pdf pdf_icon

NTMFS4854NS

NTMFS4852NPower MOSFET30 V, 155 A, Single N-Channel, SO-8FLFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losseshttp://onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses These are Pb-Free DevicesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXApplications2.1 mW @ 10 V Refer to Application Note AND8195/D30 V155 A CPU Po

 6.2. Size:137K  onsemi
 ntmfs4852n.pdf pdf_icon

NTMFS4854NS

NTMFS4852NPower MOSFET30 V, 155 A, Single N-Channel, SO-8 FLFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losseshttp://onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses These are Pb-Free DeviceV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXApplications2.1 mW @ 10 V Refer to Application Note AND8195/D30 V155 A CPU Po

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... NTMFS4835N , NTMFS4836N , NTMFS4841N , S60N12RN , NTMFS4846N , NTMFS4847N , NTMFS4851N , NTMFS4852N , IRF1405 , S60N12RP , NTMFS4898NF , 2SK2828 , NTMFS4921N , NTMFS4923NE , NTMFS4925N , NTMFS4926N , NTMFS4927N .

History: IRFPE40 | HFP30N06 | 50N06FI | VQ1000J | HM4444

 

 
Back to Top

 


 
.