Справочник MOSFET. NTR2101P

 

NTR2101P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTR2101P
   Маркировка: TR7*
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.96 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 8 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 12 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 15.75 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 289 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.052 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для NTR2101P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTR2101P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:96K  onsemi
 ntr2101p.pdf pdf_icon

NTR2101P

NTR2101PSmall Signal MOSFET-8.0 V, -3.7 A, Single P-Channel, SOT-23Features Leading Trench Technology for Low RDS(on)www.onsemi.com -1.8 V Rated for Low Voltage Gate DriveV(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max SOT-23 Surface Mount for Small Footprint (3 x 3 mm)39 mW @ -4.5 V This is a Pb-Free Device-8.0 V52 mW @ -2.5 V -3.7 AApplications79 mW @ -1.8 V High Side

 ..2. Size:101K  tysemi
 ntr2101p.pdf pdf_icon

NTR2101P

Product specificationNTR2101PSmall Signal MOSFETV(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max39 mW @ -4.5 V-8.0 V, -3.7 A, Single P-Channel, SOT-23-8.0 V52 mW @ -2.5 V -3.7 AFeatures79 mW @ -1.8 V Leading Trench Technology for Low RDS(on)P-Channel -1.8 V Rated for Low Voltage Gate DriveD SOT-23 Surface Mount for Small Footprint (3 x 3 mm) This is a Pb-Free DeviceApplic

 0.1. Size:113K  onsemi
 ntr2101p-d.pdf pdf_icon

NTR2101P

NTR2101PSmall Signal MOSFET-8.0 V, -3.7 A, Single P-Channel, SOT-23Features Leading Trench Technology for Low RDS(on)http://onsemi.com -1.8 V Rated for Low Voltage Gate DriveV(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max SOT-23 Surface Mount for Small Footprint (3 x 3 mm)39 mW @ -4.5 V This is a Pb-Free Device-8.0 V52 mW @ -2.5 V -3.7 AApplications High Side Load Switch

 0.2. Size:109K  onsemi
 ntr2101pt1g.pdf pdf_icon

NTR2101P

NTR2101PSmall Signal MOSFET-8.0 V, -3.7 A, Single P-Channel, SOT-23Features Leading Trench Technology for Low RDS(on)http://onsemi.com -1.8 V Rated for Low Voltage Gate DriveV(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max SOT-23 Surface Mount for Small Footprint (3 x 3 mm)39 mW @ -4.5 V This is a Pb-Free Device-8.0 V52 mW @ -2.5 V -3.7 AApplications High Side Load Switch

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... NTP5864N , NTP6410AN , NTP6411AN , NTP6412AN , NTP6413AN , NTR0202PL , NTR1P02 , NTR1P02LT1 , SPP20N60C3 , NTR4003N , IPS65R650CE , NTR4170N , NTR4171P , NTR4501N , NTR4502P , NTR4503N , NTS2101P .

History: SDU04N60

 

 
Back to Top

 


 
.