NTTFS4929N. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: NTTFS4929N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.11 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 337 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
Тип корпуса: WDFN8
Аналог (замена) для NTTFS4929N
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
NTTFS4929N даташит
nttfs4929n.pdf
NTTFS4929N Power MOSFET 30 V, 34 A, Single N-Channel, m8FL Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses http //onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Compliant 11 mW @ 10 V Applications 30 V 34 A 17 mW @ 4.
nttfs4929ntag.pdf
NTTFS4929N Power MOSFET 30 V, 34 A, Single N-Channel, m8FL Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses http //onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Compliant 11 mW @ 10 V Applications 30 V 34 A 17 mW @ 4.
nttfs4928ntag.pdf
NTTFS4928N MOSFET Power, Single, N-Channel, m8FL 30 V, 37 A Features http //onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses 9.0 mW @ 10 V These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 30 V 37 A Compliant 13.5 mW @ 4.5 V
nttfs4928n.pdf
NTTFS4928N Power MOSFET 30 V, 37 A, Single N-Channel, m8FL Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses http //onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Compliant 9.0 mW @ 10 V Applications 30 V 37 A 13.5 mW @
Другие MOSFET... NTS4101P , NTS4173P , NTS4409NT1G , NTTD4401F , NTTFS4821N , NTTFS4823N , NTTFS4824N , NTTFS4928N , IRFP450 , NTTFS4930N , NTTFS4932N , NTTFS4937N , NTTFS4939N , NTTFS4941N , NTTFS5116PL , NTTFS5811NL , NTTFS5820NL .
History: FTP06N06N | IXFG55N50 | APM4906K | IXFF80N50Q2 | IRLHM630PBF | SWP13N50D
History: FTP06N06N | IXFG55N50 | APM4906K | IXFF80N50Q2 | IRLHM630PBF | SWP13N50D
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
tip147 datasheet | 2n4124 | mj15022 | toshiba c5198 | irf520n datasheet | tip107 | 2n5457 | k3568





