Справочник MOSFET. NVD5862N

 

NVD5862N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NVD5862N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 115 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 98 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 70 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 500 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0057 Ohm
   Тип корпуса: DPAK

 Аналог (замена) для NVD5862N

 

 

NVD5862N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:112K  onsemi
 nvd5862n.pdf

NVD5862N NVD5862N

NVD5862NPower MOSFET60 V, 5.7 mW, 98 A, Single N-ChannelFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses High Current Capabilityhttp://onsemi.com Avalanche Energy Specified AEC-Q101 Qualified These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSV(BR)DSS RDS(on) IDCompliant60 V 5.7 mW @ 10 V 98 AMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise noted

 8.1. Size:135K  onsemi
 nvd5863nl.pdf

NVD5862N NVD5862N

NVD5863NLPower MOSFET60 V, 7.1 mW, 82 A, Single N-ChannelFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses High Current Capability Avalanche Energy Specifiedhttp://onsemi.com AEC-Q101 Qualified These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSV(BR)DSS RDS(on) IDCompliant7.1 mW @ 10 V60 V 82 AMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise not

 8.2. Size:74K  onsemi
 nvd5865nl.pdf

NVD5862N NVD5862N

NVD5865NLPower MOSFET60 V, 46 A, 16 mW, Single N-ChannelFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses High Current Capabilitywww.onsemi.com Avalanche Energy Specified AEC-Q101 QualifiedV(BR)DSS RDS(on) ID These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS16 mW @ 10 VCompliant60 V 46 A19 mW @ 4.5 VMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless oth

 8.3. Size:136K  onsemi
 nvd5867nl.pdf

NVD5862N NVD5862N

NVD5867NLPower MOSFET60 V, 22 A, 39 mW, Single N-ChannelFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses High Current Capabilitywww.onsemi.com Avalanche Energy Specified AEC-Q101 Qualified and PPAP CapableV(BR)DSS RDS(on) ID These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS39 mW @ 10 VCompliant60 V 22 A50 mW @ 4.5 VMAXIMUM RATINGS (TJ =

Другие MOSFET... NTZD3155C , NTZD5110N , NTZS3151P , FDB075N15AF085 , NUS3116MT , NUS5530MN , NUS5531MT , NVD5803N , IRF9540N , NVD5863NL , NVD5865NL , NVD5867NL , NVD5890N , NVMFD5877NL , NVMFS4841N , NVTFS4823N , NVTFS4824N .

 

 
Back to Top