NVD5865NL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: NVD5865NL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 71 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 46 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 12.4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 137 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
Тип корпуса: DPAK
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
NVD5865NL Datasheet (PDF)
nvd5865nl.pdf

NVD5865NLPower MOSFET60 V, 46 A, 16 mW, Single N-ChannelFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses High Current Capabilitywww.onsemi.com Avalanche Energy Specified AEC-Q101 QualifiedV(BR)DSS RDS(on) ID These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS16 mW @ 10 VCompliant60 V 46 A19 mW @ 4.5 VMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless oth
nvd5863nl.pdf

NVD5863NLPower MOSFET60 V, 7.1 mW, 82 A, Single N-ChannelFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses High Current Capability Avalanche Energy Specifiedhttp://onsemi.com AEC-Q101 Qualified These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSV(BR)DSS RDS(on) IDCompliant7.1 mW @ 10 V60 V 82 AMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise not
nvd5862n.pdf

NVD5862NPower MOSFET60 V, 5.7 mW, 98 A, Single N-ChannelFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses High Current Capabilityhttp://onsemi.com Avalanche Energy Specified AEC-Q101 Qualified These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSV(BR)DSS RDS(on) IDCompliant60 V 5.7 mW @ 10 V 98 AMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise noted
nvd5867nl.pdf

NVD5867NLPower MOSFET60 V, 22 A, 39 mW, Single N-ChannelFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses High Current Capabilitywww.onsemi.com Avalanche Energy Specified AEC-Q101 Qualified and PPAP CapableV(BR)DSS RDS(on) ID These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS39 mW @ 10 VCompliant60 V 22 A50 mW @ 4.5 VMAXIMUM RATINGS (TJ =
Другие MOSFET... NTZS3151P , FDB075N15AF085 , NUS3116MT , NUS5530MN , NUS5531MT , NVD5803N , NVD5862N , NVD5863NL , STP65NF06 , NVD5867NL , NVD5890N , NVMFD5877NL , NVMFS4841N , NVTFS4823N , NVTFS4824N , NVTFS5116PL , NVTFS5811NL .
History: NVTFS002N04C | SI9945BDY
History: NVTFS002N04C | SI9945BDY



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
mp38a | bc546 transistor | bd243 | 2sk170 datasheet | 2n7000 equivalent | tip31 | tip122 transistor | 2sc1079