NVMFS4841N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: NVMFS4841N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.7 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 66.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 348 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
Тип корпуса: SO8FL
Аналог (замена) для NVMFS4841N
NVMFS4841N Datasheet (PDF)
nvmfs4841n.pdf

NVMFS4841NPower MOSFET30V, 7 mW, 89A, Single N-Channel SO8FLFeatures Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losseshttp://onsemi.com Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses NVMFS4841NWF - Wettable Flanks Product AEC-Q101 Qualified and PPAP CapableV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free and are
nvmfs4841n-d.pdf

NVMFS4841NPower MOSFET30V, 7 mW, 89A, Single N-Channel SO8FLFeatures Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losseshttp://onsemi.com Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses AEC-Q101 Qualified These are Pb-Free Devices*V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX7.0 mW @ 10 VMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise noted)
nvmfs4c302n.pdf

NVMFS4C302NPower MOSFET30 V, 1.15 mW, 241 A, Single N-ChannelLogic Level, SO-8FLFeatures Small Footprint (5x6 mm) for Compact Designwww.onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver LossesV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX NVMFS4C302NWF - Wettable Flanks Option for Enhanced Optical1.15 mW @ 10 VInspection30 V241 A
nvmfs4c05n.pdf

NVMFS4C05NPower MOSFET30 V, 116 A, Single N-Channel, SO-8 FLFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses http://onsemi.com NVMFS4C05NWF - Wettable Flanks Option for Enhanced OpticalInspectionV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable3.4 mW
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMPF8N60BJ | JMPF840BJ | JMPF7N65BJ | JMPF630BJ | JMPF5N50BJ | JMPF4N65BJ | JMPF4N60BJ | JMPF25N50BJ | JMPF20N65BJ | JMPF20N60BJ | JMSL0303TU | JMSL0303TG | JMSL0303AU | JMSL0303AK | JMSL0303AG | JMSL0315AK
Popular searches
2n7000 equivalent | tip31 | tip122 transistor | 2sc1079 | 2sc1815 equivalent | 2sa1220 | 2sa940 | 2sc627