Справочник MOSFET. 2SK975

 

2SK975 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2SK975
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: TO92M
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK975 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:109K  renesas
r07ds0434ej 2sk975.pdfpdf_icon

2SK975

Preliminary Datasheet R07DS0434EJ03002SK975 (Previous: REJ03G0905-0200)Rev.3.00Silicon N Channel MOS FET Jun 07, 2011Application High speed power switching Features Low on-resistance High speed switching Low drive current 4 V gate drive device Can be driven from 5 V source Suitable for motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid

 ..2. Size:75K  renesas
2sk975.pdfpdf_icon

2SK975

2SK975 Silicon N Channel MOS FET REJ03G0905-0200 (Previous: ADE-208-1243) Rev.2.00 Sep 07, 2005 Application High speed power switching Features Low on-resistance High speed switching Low drive current 4 V gate drive device Can be driven from 5 V source Suitable for motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive Outline RENES

 9.1. Size:46K  1
2sk973l 2sk973s.pdfpdf_icon

2SK975

2SK973 L , 2SK973 SSilicon N-Channel MOS FETApplication4DPAK-1High speed power switching4Features12312 Low on-resistance32, 4 High speed switchingS type L type Low drive current 4 V gate drive device Can be driven from 5 V source1. Gate1 Suitable for motor drive, DC-DC converter,2. Drain3. Sourcepower switch and solenoid drive4

 9.2. Size:44K  1
2sk972.pdfpdf_icon

2SK975

2SK972Silicon N-Channel MOS FETApplicationTO220ABHigh speed power switchingFeatures Low on-resistance2 High speed switching123 Low drive current 4 V gate drive device1. Gate Can be driven from 5 V source12. Drain Suitable for motor drive, DC-DC converter,(Flange)power switch and solenoid drive3. Source3Table 1 Absolute Maximum R

Другие MOSFET... 2SK963 , 2SK970 , 2SK971 , 2SK972 , 2SK973L , 2SK973S , 2SK974L , 2SK974S , MDF11N65B , 2SK979 , 2SK981 , 2SK981A , 2SK985 , 2SK987 , 2SK988 , 2SK989 , 2SK990 .

History: IRF9Z34NSPBF | BL2N60-A

 

 
Back to Top

 


 
.