IXFH100N25P - описание и поиск аналогов

 

IXFH100N25P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IXFH100N25P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 600 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 200 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для IXFH100N25P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFH100N25P даташит

 ..1. Size:95K  ixys
 ixfh100n25p.pdf pdf_icon

IXFH100N25P

IXFH 100N25P VDSS = 250 V PolarHTTM HiPerFET ID25 = 100 A Power MOSFET RDS(on) 27 m N-Channel Enhancement Mode trr 200 ns Fast Intrinsic Diode Avalanche Rated TO-247 (IXFH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 250 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 250 V VGS Continuous 20 V G VGSM

 8.1. Size:570K  ixys
 ixfh10n100 ixfm10n100 ixfh12n100 ixfm12n100.pdf pdf_icon

IXFH100N25P

 8.2. Size:568K  ixys
 ixfh10n100q.pdf pdf_icon

IXFH100N25P

 8.3. Size:179K  ixys
 ixfh10n90 ixfm10n90 ixfh12n90 ixfm12n90 ixfh13n90 ixfm13n90.pdf pdf_icon

IXFH100N25P

VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM IXFH/IXFM 10 N90 900 V 10 A 1.1 Power MOSFETs IXFH/IXFM 12 N90 900 V 12 A 0.9 IXFH/IXFT 13 N90 900 V 13 A 0.8 N-Channel Enhancement Mode 250 ns High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family trr TO-247 AD (IXFH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 1

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXFE48N50QD3 , IXFE50N50 , IXFE55N50 , IXFE73N30Q , IXFE80N50 , IXFF24N100 , IXFF80N50Q2 , IXFG55N50 , IRFP450 , IXFH102N15T , IXFH10N100P , IXFH10N80P , IXFH110N10P , IXFH110N15T2 , IXFH110N25T , IXFH120N15P , IXFH120N20P .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.