IXFH110N15T2 - описание и поиск аналогов

 

IXFH110N15T2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IXFH110N15T2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 480 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 85 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для IXFH110N15T2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFH110N15T2 даташит

 5.1. Size:309K  ixys
 ixfh110n10p ixfv110n10p.pdf pdf_icon

IXFH110N15T2

IXFH 110N10P VDSS = 100 V PolarHTTM HiPerFET IXFV 110N10P ID25 = 110 A Power MOSFET IXFV 110N10PS RDS(on) 15 m N-Channel Enhancement Mode trr 150 ns Fast Intrinsic Diode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 175 C 100 V VDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 100

 8.1. Size:426K  1
 ixfh11n80 ixfm11n80 ixfh13n80 ixfm13n80 ixfh14n80 ixfm14n80 ixfh15n80 ixfm15n80.pdf pdf_icon

IXFH110N15T2

 8.2. Size:95K  ixys
 ixfh11n80 ixfh13n80 ixfm11n80 ixfm13n80.pdf pdf_icon

IXFH110N15T2

VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM IXFH/IXFM 11 N80 800 V 11 A 0.95 W Power MOSFETs IXFH/IXFM 13 N80 800 V 13 A 0.80 W trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 800 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 800 V VGS Continuous 20 V (TAB) VGSM Transient 30 V ID25 TC = 2

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXFF24N100 , IXFF80N50Q2 , IXFG55N50 , IXFH100N25P , IXFH102N15T , IXFH10N100P , IXFH10N80P , IXFH110N10P , IRFP250 , IXFH110N25T , IXFH120N15P , IXFH120N20P , IXFH12N100F , IXFH12N100P , IXFH12N120 , IXFH12N120P , IXFH12N50F .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.