Справочник MOSFET. IXFH110N15T2

 

IXFH110N15T2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFH110N15T2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 480 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 85 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для IXFH110N15T2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFH110N15T2 Datasheet (PDF)

 5.1. Size:309K  ixys
 ixfh110n10p ixfv110n10p.pdf pdf_icon

IXFH110N15T2

IXFH 110N10P VDSS = 100 VPolarHTTM HiPerFETIXFV 110N10P ID25 = 110 APower MOSFET IXFV 110N10PS RDS(on) 15 m N-Channel Enhancement Modetrr 150 nsFast Intrinsic DiodeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247 (IXFH)VDSS TJ = 25 C to 175 C 100 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 100

 8.1. Size:426K  1
 ixfh11n80 ixfm11n80 ixfh13n80 ixfm13n80 ixfh14n80 ixfm14n80 ixfh15n80 ixfm15n80.pdf pdf_icon

IXFH110N15T2

 8.2. Size:95K  ixys
 ixfh11n80 ixfh13n80 ixfm11n80 ixfm13n80.pdf pdf_icon

IXFH110N15T2

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTMIXFH/IXFM 11 N80 800 V 11 A 0.95 WPower MOSFETsIXFH/IXFM 13 N80 800 V 13 A 0.80 Wtrr 250 nsN-Channel Enhancement ModeHigh dv/dt, Low trr, HDMOSTM FamilySymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 800 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 800 VVGS Continuous 20 V(TAB)VGSM Transient 30 VID25 TC = 2

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXFF24N100 , IXFF80N50Q2 , IXFG55N50 , IXFH100N25P , IXFH102N15T , IXFH10N100P , IXFH10N80P , IXFH110N10P , STF13NM60N , IXFH110N25T , IXFH120N15P , IXFH120N20P , IXFH12N100F , IXFH12N100P , IXFH12N120 , IXFH12N120P , IXFH12N50F .

History: 2SJ285 | SWT69N65K2F | SI8499DB | APT60M75L2LL | STD30PF03L-1 | AOH3106

 

 
Back to Top

 


 
.