Справочник MOSFET. IXFH16N80P

 

IXFH16N80P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFH16N80P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 460 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 250 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для IXFH16N80P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFH16N80P Datasheet (PDF)

 7.1. Size:252K  ixys
ixfa16n50p ixfh16n50p ixfp16n50p.pdfpdf_icon

IXFH16N80P

IXFA 16N50P VDSS = 500 VPolarHVTM HiPerFETIXFH 16N50P ID25 = 16 APower MOSFETIXFP 16N50P RDS(on) 400 m trr 200 nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (IXTA)VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 V

 7.2. Size:112K  ixys
ixfh16n90 ixfx16n90.pdfpdf_icon

IXFH16N80P

IXFH16N90 VDSS = 900 VHiPerFETTMIXFX16N90 ID25 = 16 APower MOSFETsRDS(on) = 0.65 WN-Channel Enhancement Modet 200 nsHigh dv/dt, Low t , HDMOSTM FamilyrrrrPreliminary dataSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD(IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 900 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 900 V(TAB)VGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VID25 TC = 2

 7.3. Size:166K  ixys
ixfa16n60p3 ixfh16n60p3 ixfp16n60p3.pdfpdf_icon

IXFH16N80P

Advance Technical InformationPolar3 TM HiPerFETTM VDSS = 600VIXFA16N60P3Power MOSFETs ID25 = 16AIXFP16N60P3 RDS(on) 440m IXFH16N60P3N-Channel Enhancement ModeTO-263 AA (IXFA)Avalanche RatedFast Intrinsic RectifierGSD (Tab)TO-220AB (IXFP)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 600 VVDGR TJ = 25C to 15

 7.4. Size:173K  ixys
ixfa16n50p3 ixfh16n50p3 ixfp16n50p3.pdfpdf_icon

IXFH16N80P

Advance Technical InformationPolar3 TM HiPerFETTM VDSS = 500VIXFA16N50P3Power MOSFETs ID25 = 16AIXFP16N50P3 RDS(on) 360m IXFH16N50P3N-Channel Enhancement ModeTO-263 AA (IXFA)Avalanche RatedFast Intrinsic RectifierGSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220AB (IXFP)VDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 15

Другие MOSFET... IXFH15N100P , IXFH15N100Q , IXFH15N100Q3 , IXFH15N80Q , IXFH160N15T , IXFH160N15T2 , IXFH16N120P , IXFH16N50P , 8N60 , IXFH16N90Q , IXFH170N10P , IXFH17N80Q , IXFH18N60P , IXFH18N90P , IXFH20N100P , IXFH20N80P , IXFH21N50F .

History: AP90T03GS | IRF5NJ5305 | IRF5Y6215CM | FIR12N65FG | TPCA8011-H | QM3004SM3 | YJQ40G10A

 

 
Back to Top

 


 
.