Справочник MOSFET. IXFX120N30T

 

IXFX120N30T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFX120N30T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 960 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
   Тип корпуса: PLUS247
 

 Аналог (замена) для IXFX120N30T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFX120N30T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:139K  ixys
 ixfk120n30t ixfx120n30t.pdf pdf_icon

IXFX120N30T

Advance Technical InformationGigaMOSTM VDSS = 300VIXFK120N30TID25 = 120APower MOSFETIXFX120N30T RDS(on) 24m trr 200nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeTO-264 (IXFK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 300 VGDVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M

 4.1. Size:131K  ixys
 ixfk120n30p3 ixfx120n30p3.pdf pdf_icon

IXFX120N30T

Advance Technical InformationPolar3TM HiPerFETTM VDSS = 300VIXFK120N30P3Power MOSFETs ID25 = 120AIXFX120N30P3 RDS(on) 27m trr 250nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-264 (IXFK)Fast Intrinsic DiodeGDSymbol Test Conditions Maximum RatingsSVDSS TJ = 25C to 150C 300 V TabVDGR TJ = 25C to 150

 6.1. Size:159K  ixys
 ixfk120n65x2 ixfx120n65x2.pdf pdf_icon

IXFX120N30T

Advance Technical InformationX2-Class HiPerFETTM VDSS = 650VIXFK120N65X2Power MOSFET ID25 = 120AIXFX120N65X2 RDS(on) 24m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeTO-264P (IXFK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 150C 650 VDTabVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 V SVGSS

 6.2. Size:123K  ixys
 ixfk120n25p ixfx120n25p.pdf pdf_icon

IXFX120N30T

VDSS = 250 VIXFK 120N25PPolarHTTM HiPerFETID25 = 120 AIXFX 120N25PPower MOSFET RDS(on) 24 m N-Channel Enhancement Mode trr 200 ns Fast Intrinsic DiodeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 175C 250 VTO-264 (IXFK)VDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 250 VVGS Continuous

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXFV52N30PS , IXFV74N20P , IXFV74N20PS , IXFV96N15P , IXFV96N15PS , IXFV96N20P , IXFX120N25 , IXFX120N25P , 5N60 , IXFX140N25T , IXFX140N30P , IXFX160N30T , IXFX170N20P , IXFX170N20T , IXFX180N15P , IXFX180N25T , IXFX200N10P .

History: AO6404 | BRCS3134ZK | SHD226409 | AM4531C | MMN3220 | PMN25ENEA | TPCA8030-H

 

 
Back to Top

 


 
.