IXFX120N30T datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXFX120N30T  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 960 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 300 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm

Тип корпуса: PLUS247

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IXFX120N30T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFX120N30T даташит

 ..1. Size:139K  ixys
 ixfk120n30t ixfx120n30t.pdf pdf_icon

IXFX120N30T

Advance Technical Information GigaMOSTM VDSS = 300V IXFK120N30T ID25 = 120A Power MOSFET IXFX120N30T RDS(on) 24m trr 200ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode TO-264 (IXFK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 300 V G D VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M

 4.1. Size:131K  ixys
 ixfk120n30p3 ixfx120n30p3.pdf pdf_icon

IXFX120N30T

Advance Technical Information Polar3TM HiPerFETTM VDSS = 300V IXFK120N30P3 Power MOSFETs ID25 = 120A IXFX120N30P3 RDS(on) 27m trr 250ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-264 (IXFK) Fast Intrinsic Diode G D Symbol Test Conditions Maximum Ratings S VDSS TJ = 25 C to 150 C 300 V Tab VDGR TJ = 25 C to 150

 6.1. Size:159K  ixys
 ixfk120n65x2 ixfx120n65x2.pdf pdf_icon

IXFX120N30T

Advance Technical Information X2-Class HiPerFETTM VDSS = 650V IXFK120N65X2 Power MOSFET ID25 = 120A IXFX120N65X2 RDS(on) 24m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode TO-264P (IXFK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VDSS TJ = 25 C to 150 C 650 V D Tab VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 650 V S VGSS

 6.2. Size:123K  ixys
 ixfk120n25p ixfx120n25p.pdf pdf_icon

IXFX120N30T

VDSS = 250 V IXFK 120N25P PolarHTTM HiPerFET ID25 = 120 A IXFX 120N25P Power MOSFET RDS(on) 24 m N-Channel Enhancement Mode trr 200 ns Fast Intrinsic Diode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 175 C 250 V TO-264 (IXFK) VDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 250 V VGS Continuous

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXFV52N30PS, IXFV74N20P, IXFV74N20PS, IXFV96N15P, IXFV96N15PS, IXFV96N20P, IXFX120N25, IXFX120N25P, IRLB4132, IXFX140N25T, IXFX140N30P, IXFX160N30T, IXFX170N20P, IXFX170N20T, IXFX180N15P, IXFX180N25T, IXFX200N10P