IXTC26N50P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXTC26N50P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 400 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.26 Ohm

Тип корпуса: ISOPLUS220

Аналог (замена) для IXTC26N50P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTC26N50P даташит

 ..1. Size:175K  ixys
 ixtc26n50p.pdf pdf_icon

IXTC26N50P

IXTC 26N50P VDSS = 500 V PolarHVTM ID25 = 15 A Power MOSFET RDS(on) 260 m ISOPLUS220TM (Electrically Isolated Tab) N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V ISOPLUS220TM (IXTC) E153432 VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 V VGS Continuous 30 V VGSM Transi

 9.1. Size:186K  ixys
 ixtc280n055t.pdf pdf_icon

IXTC26N50P

 9.2. Size:187K  ixys
 ixtc220n055t.pdf pdf_icon

IXTC26N50P

 9.3. Size:186K  ixys
 ixtc220n075t.pdf pdf_icon

IXTC26N50P

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXTC200N075T, IXTC200N085T, IXTC200N10T, IXTC220N055T, IXTC220N075T, IXTC230N085T, IXTC240N055T, IXTC250N075T, IRF1405, IXTC280N055T, IXTC36P15P, IXTC62N15P, IXTC75N10, IXTC96N25T, IXTD110N25T-8W, IXTE250N10, IXTF03N400