IXTC26N50P - аналоги и даташиты транзистора

 

IXTC26N50P - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IXTC26N50P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 400 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.26 Ohm
   Тип корпуса: ISOPLUS220
 

 Аналог (замена) для IXTC26N50P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTC26N50P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:175K  ixys
 ixtc26n50p.pdf pdf_icon

IXTC26N50P

IXTC 26N50P VDSS = 500 VPolarHVTMID25 = 15 APower MOSFET RDS(on) 260 m ISOPLUS220TM(Electrically Isolated Tab)N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V ISOPLUS220TM (IXTC)E153432VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 VVGS Continuous 30 VVGSM Transi

 9.1. Size:186K  ixys
 ixtc280n055t.pdf pdf_icon

IXTC26N50P

Preliminary Technical InformationIXTC280N055T VDSS = 55 VTrenchMVTMID25 = 145 APower MOSFET RDS(on) 3.6 m (Electrically Isolated Back Surface)N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsISOPLUS220 (IXTC)E153432VDSS TJ = 25C to 175C55 VVDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 55 VVGSM Transient

 9.2. Size:187K  ixys
 ixtc220n055t.pdf pdf_icon

IXTC26N50P

Preliminary Technical InformationIXTC220N055T VDSS = 55 VTrenchMVTMID25 = 130 APower MOSFET RDS(on) 4.4 m (Electrically Isolated Back Surface)N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsISOPLUS220 (IXTC)E153432VDSS TJ = 25C to 175C55 VVDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 55 VVGSM Transient

 9.3. Size:186K  ixys
 ixtc220n075t.pdf pdf_icon

IXTC26N50P

Preliminary Technical InformationIXTC220N075T VDSS = 75 VTrenchMVTMID25 = 115 APower MOSFET RDS(on) 5.0 m (Electrically Isolated Back Surface)N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsISOPLUS220 (IXTC)E153432VDSS TJ = 25C to 175C75 VVDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 75 VVGSM Transient

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXTC200N075T , IXTC200N085T , IXTC200N10T , IXTC220N055T , IXTC220N075T , IXTC230N085T , IXTC240N055T , IXTC250N075T , IRF1405 , IXTC280N055T , IXTC36P15P , IXTC62N15P , IXTC75N10 , IXTC96N25T , IXTD110N25T-8W , IXTE250N10 , IXTF03N400 .

History: IPL65R1K5C6S | IXTC75N10 | IPL65R190E6 | IPL65R099C7

 

 
Back to Top

 


 
.