Справочник MOSFET. IXTH03N400

 

IXTH03N400 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTH03N400
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 4000 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 16.3 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 2.8 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 290 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для IXTH03N400

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTH03N400 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:186K  ixys
 ixth03n400 ixtv03n400s.pdf pdf_icon

IXTH03N400

Advance Technical InformationHigh Voltage VDSS = 4000VIXTH03N400ID25 = 300mAPower MOSFET IXTV03N400S RDS(on) 290 N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-247 (IXTH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 150C 4000 VDD (Tab)SVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 4000 VVGSS Continuous 20 VVGSM Transie

 9.1. Size:160K  ixys
 ixth04n300p3hv.pdf pdf_icon

IXTH03N400

Advance Technical InformationHigh Voltage VDSS = 3000VIXTH04N300P3HVPower MOSFETID25 = 0.40A RDS(on) 190 N-Channel Enhancement ModeTO-247HVSymbol Test Conditions Maximum RatingsGSVDSS TJ = 25C to 150C 3000 V D (Tab)DVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 3000 VVGSS Continuous 20 VG = Gate D = Drai

 9.2. Size:194K  ixys
 ixth02n250 ixtv02n250s.pdf pdf_icon

IXTH03N400

High VoltageIXTH02N250VDSS = 2500VPower MOSFETsID25 = 200mA IXTV02N250S RDS(on) 450 N-Channel Enhancement ModeFast Intrinsic DiodeTO-247 (IXTH)GD D (Tab)SSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 2500 VPLUS220SMD (IXTV_S)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 2500 VVGSS Continuous 20 VVGSM Transient

 9.3. Size:160K  ixys
 ixth05n250p3hv.pdf pdf_icon

IXTH03N400

Advance Technical InformationHigh Voltage VDSS = 2500VIXTH05N250P3HVPower MOSFETID25 = 0.50A RDS(on) 110 N-Channel Enhancement ModeTO-247HVSymbol Test Conditions Maximum RatingsGSVDSS TJ = 25C to 150C 2500 V D (Tab)DVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 2500 VVGSS Continuous 20 VG = Gate D = Drai

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXTF03N400 , IXTF1N250 , IXTF1N400 , IXTF200N10T , IXTF230N085T , IXTF250N075T , IXTF280N055T , IXTH02N250 , 5N50 , IXTH102N15T , IXTH102N20T , IXTH10N100D , IXTH10N100D2 , IXTH10P50P , IXTH10P60 , IXTH110N10L2 , IXTH110N25T .

 

 
Back to Top

 


 
.