IXTH140P05T
MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IXTH140P05T
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 298
W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50
V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15
V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4
V
|Id|ⓘ - Максимально
допустимый постоянный ток стока: 140
A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150
°C
Qgⓘ -
Общий заряд затвора: 200
nC
trⓘ -
Время нарастания: 53
ns
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009
Ohm
Тип корпуса:
TO247
Аналог (замена) для IXTH140P05T
IXTH140P05T
Datasheet (PDF)
6.1. Size:174K ixys
ixth140p10t ixtt140p10t.pdf 
Preliminary Technical InformationTrenchPTM VDSS = -100VIXTT140P10TPower MOSFETs ID25 = -140AIXTH140P10T RDS(on) 12m P-Channel Enhancement ModeTO-268 (IXTT)Avalanche RatedGSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247 (IXTH)VDSS TJ = 25C to 150C -100 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M -100 VVGSS Continuous 15 V
8.1. Size:88K ixys
ixth14n80.pdf 
IXTH 14N80 VDSS = 800 VMegaMOSTMFETID25 = 14 ARDS(on) = 0.70 N-Channel Enhancement ModeSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 ADVDSS TJ = 25C to 150C 800 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 800 VVGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VD (TAB)ID25 TC = 25C14 AIDM TC = 25C, pulse width limited by TJM 56 APD TC = 25C 300 WG
8.2. Size:45K ixys
ixth14n100.pdf 
IXTH 14N100 VDSS = 1000 VMegaMOSTMFET ID25 = 14 ARDS(on) = 0.82 N-Channel Enhancement ModeSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 ADVDSS TJ = 25C to 150C 1000 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 1000 VVGS Continuous 20 V D (TAB)VGSM Transient 30 VID25 TC = 25C14 AG = Gate, D = Drain,IDM TC = 25C, pulse width limited by TJM 56 A
Другие MOSFET... IRFP360LC
, IRFP3710
, IRFP430
, IRFP431
, IRFP432
, IRFP433
, IRFP440
, IRFP440A
, IRFP250
, IRFP442
, IRFP443
, IRFP448
, IRFP450
, IRFP450A
, IRFP450FI
, IRFP450LC
, IRFP451
.
