IXTH20P50P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXTH20P50P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 460 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 406 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для IXTH20P50P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTH20P50P даташит

 8.1. Size:316K  ixys
 ixth15n60 ixtm15n60 ixth20n60 ixtm20n60.pdf pdf_icon

IXTH20P50P

Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine

 8.2. Size:105K  ixys
 ixth20n60 ixtm20n60.pdf pdf_icon

IXTH20P50P

IXTH 20N60 VDSS = 600 V MegaMOSTMFET IXTM 20N60 ID25 = 20 A RDS(on) = 0.35 N-Channel Enhancement Mode Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXTH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 600 V VGS Continuous 20 V D (TAB) VGSM Transient 30 V ID25 TC = 25 C 15N60 15 A TO-204 AE (IXTM) 20N60 20 A IDM TC = 25 C, p

 8.3. Size:231K  ixys
 ixta20n65x ixth20n65x ixtp20n65x.pdf pdf_icon

IXTH20P50P

Preliminary Technical Information X-Class VDSS = 650V IXTA20N65X Power MOSFET ID25 = 20A IXTP20N65X RDS(on) 210m IXTH20N65X N-Channel Enhancement Mode TO-263 (IXTA) G S D (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220 (IXTP) VDSS TJ = 25 C to 150 C 650 V VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 650 V VGSS Continuous 30 V VG

 8.4. Size:205K  ixys
 ixth200n085t ixtq200n085t.pdf pdf_icon

IXTH20P50P

Preliminary Technical Information IXTH200N085T VDSS = 85 V TrenchMVTM IXTQ200N085T ID25 = 200 A Power MOSFET RDS(on) 5.0 m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 (IXTH) VDSS TJ = 25 C to 175 C85 V VDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 85 V VGSM Transient 20 V ID25 TC = 25 C 20

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXTH180N10T, IXTH182N055T, IXTH1N100, IXTH1N250, IXTH200N075T, IXTH200N085T, IXTH200N10T, IXTH20N50D, IRLB4132, IXTH220N055T, IXTH220N075T, IXTH22N50P, IXTH230N085T, IXTH240N055T, IXTH24N50L, IXTH24N50Q, IXTH24P20