Справочник MOSFET. IXTH36P10

 

IXTH36P10 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IXTH36P10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 95 nC
   trⓘ - Время нарастания: 180 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для IXTH36P10

 

 

IXTH36P10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:79K  ixys
 ixth36p10.pdf

IXTH36P10 IXTH36P10

Advance Technical InformationIXTH 36P10Standard Power MOSFETVDSS = -100 VID25 = -36 AP-Channel Enhancement ModeRDS(on) = 75 mAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247 ADVDSS TJ = 25C to 150C -100 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M -100 VVGS Continuous 20 VD (TAB)VGSM Transient 30 VID25 TC = 25C -36 AIDM TC

 8.1. Size:181K  ixys
 ixth360n055t2 ixtt360n055t2.pdf

IXTH36P10 IXTH36P10

Preliminary Technical InformationVDSS = 55VTrenchT2TM PowerIXTH360N055T2ID25 = 360AMOSFET IXTT360N055T2 RDS(on) 2.4m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeTO-247 (IXTH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGDVDSS TJ = 25C to 175C55 V (TAB)SVDGR TJ = 25C to 175C, RGS = 1M 55 VVGSM Transient

 8.2. Size:361K  ixys
 ixth36n50p ixtq36n50p ixtt36n50p ixtv36n50p.pdf

IXTH36P10 IXTH36P10

IXTH 36N50P VDSS = 500 VPolarHVTMIXTQ 36N50P ID25 = 36 APower MOSFET IXTT 36N50P RDS(on) 170 m IXTV 36N50PN-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated IXTV 36N50PSTO-3P (IXTQ)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 150 C 500 VGVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 V(TAB)DSVGS Continuous 30 VVGS

 8.3. Size:402K  ixys
 ixth36n50p ixtq36n50p ixtt36n50p ixtv36n50p ixtv36n50ps.pdf

IXTH36P10 IXTH36P10

IXTH 36N50P VDSS = 500 VPolarHVTMIXTQ 36N50P ID25 = 36 APower MOSFET IXTT 36N50P RDS(on) 170 m IXTV 36N50PN-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated IXTV 36N50PSTO-3P (IXTQ)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 150 C 500 VGVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 V(TAB)DSVGS Continuous 30 VVGS

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top