Справочник MOSFET. IXTH80N20L

 

IXTH80N20L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTH80N20L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 520 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 250 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm
   Тип корпуса: TO247
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTH80N20L Datasheet (PDF)

 7.1. Size:113K  ixys
ixth80n65x2.pdfpdf_icon

IXTH80N20L

Advance Technical InformationX2-Class VDSS = 650VIXTH80N65X2Power MOSFETTM ID25 = 80A RDS(on) 40m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-247GSymbol Test Conditions Maximum Ratings DSD (Tab)VDSS TJ = 25C to 150C 650 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VG = Gate D = DrainS = Source Tab = DrainVGSS Contin

 7.2. Size:168K  ixys
ixta80n075l2 ixth80n075l2 ixtp80n075l2.pdfpdf_icon

IXTH80N20L

Advance Technical InformationLinearL2TM Power VDSS = 75VIXTA80N075L2MOSFETs w/Extended ID25 = 80AIXTP80N075L2 RDS(on) 24m FBSOAIXTH80N075L2N-Channel Enhancement ModeTO-263AA (IXTA)Guaranteed FBSOAAvalanche RatedGSD (Tab)TO-220AB (IXTP)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 75 VVDGR TJ = 25

 9.1. Size:74K  1
ixth7p50 ixth8p50.pdfpdf_icon

IXTH80N20L

VDSS ID25 RDS(on)IXTH 7P50 -500V -7 A 1.5 Standard Power MOSFETIXTH 8P50 -500V -8 A 1.2 P-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247 ADVDSS TJ = 25C to 150C -500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M -500 VVGS Continuous 20 VD (TAB)VGSM Transient 30 VID25 TC = 25C 7P50 -7 A8P50 -8 AIDM TC = 25C, pulse w

 9.2. Size:324K  ixys
ixth88n30p ixtk88n30p ixtt88n30p ixtq88n30p.pdfpdf_icon

IXTH80N20L

IXTH 88N30P VDSS = 300 VPolarHTTMIXTK 88N30P ID25 = 88 APower MOSFET IXTQ 88N30P RDS(on) 40 m IXTT 88N30PN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-247 (IXTH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsD (TAB)GDVDSS TJ = 25 C to 150 C 300 VSVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 300 VVGS Continuous 20 VTO-264 (IXTK)

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: GSM4510S | WMJ38N60C2 | NTD5862N | SIR808DP | AO6804A | RJK1525DPE | IRFBA22N50A

 

 
Back to Top

 


 
.