2N4416 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: 2N4416 📄📄
Тип транзистора: JFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.03 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 200 °C
Электрические характеристики
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 150 Ohm
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для 2N4416
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
2N4416 даташит
2n4416 2n4416a sst4416.pdf
2N4416/2N4416A/SST4416 Vishay Siliconix N-Channel JFETs PRODUCT SUMMARY Part Number VGS(off) (V) V(BR)GSS Min (V) gfs Min (mS) IDSS Min (mA) 2N4416 -v6 -30 4.5 5 2N4416A -2.5 to -6 -35 4.5 5 SST4416 -v6 -30 4.5 5 FEATURES BENEFITS APPLICATIONS D Excellent High-Frequency Gain D Wideband High Gain D High-Frequency Amplifier/Mixer 2N4416/A, Gps 13 dB (typ) @ D Very High System Sensitiv
2n4416-a.pdf
TM 2N4416 Central 2N4416A Semiconductor Corp. N-CHANNEL JFET DESCRIPTION The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N4416 and 2N4416A are silicon N-Channel Junction Field Effect Transistors designed for VHF amplifier and mixer applications. MARKING CODE Full Part Nmber JEDEC TO-72 CASE MAXIMUM RATINGS (TA=25 C) SYMBOL 2N4416 2N4416A UNITS Gate-Drain Voltage VGD 30 35 V Gate-Source Voltage
2n4416a.pdf
2N4416A 2N4416A SMALL SIGNAL N CHANNEL J FET THAT IS DESIGNED TO PROVIDE HIGH MECHANICAL DATA PERFORMANCE AMPLIFICATION AT Dimensions in mm (inches) HIGH FREQUENCIES 4.95 (0.195) 4.52 (0.178) 4.95 (0.195) 4.52 (0.178) FEATURES EXCELLENT HIGH FREQUENCY GAINS 0.48 (0.019) 0.41 (0.016) CECC SCREENING OPTIONS dia. SPACE QUALITY LEVEL OPTIONS 2.54 (0.100) Nom.
2n4416ac1a 2n4416ac1b 2n4416ac1c 2n4416ac1d.pdf
SILICON SMALL SIGNAL N-CHANNEL JFET 2N4416AC1 Low Noise, High Gain. Hermetic Surface Mounted Package. Designed For VHF/UHF Amplifiers, Oscillators And Mixers. Screening Options Available. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C unless otherwise stated) VDS Drain Source Voltage 35V VGS Gate Source Voltage -35V VGD Gate Drain Voltage -35V IG
Другие IGBT... 2N3824, 2N3824LP, 2N4391, 2N4391CSM, 2N4392, 2N4392CSM, 2N4393, 2N4393CSM, IRFB4110, 2N5045, 2N5484, 2N5485, 2N5486, 2N6656, 2N6657, 2N6658, 2N6659
Параметры MOSFET. Взаимосвязь и компромиссы
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CEM3139 | CEM3133 | CEM3115 | CED3133 | CEC3257 | CEC2533 | CEB100N10L | BC3134KT | BC3134K | BC2302W | BC2302T-2.8A | BC2302-2.8A | BC2301W | BC2301T-2.8A | CB3139KTB | CB2301DW
Popular searches
irf840 | irf740 | c945 transistor | irf640n | 2n3904 | bc547 datasheet | k3797 mosfet | bs170 datasheet







