IXTQ30N60L2 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXTQ30N60L2  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 540 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 710 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm

Тип корпуса: TO3P

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IXTQ30N60L2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTQ30N60L2 даташит

 5.1. Size:352K  ixys
 ixth30n60p ixtq30n60p ixtt30n60p ixtv30n60p.pdf pdf_icon

IXTQ30N60L2

 5.2. Size:392K  ixys
 ixth30n60p ixtq30n60p ixtt30n60p ixtv30n60p ixtv30n60ps.pdf pdf_icon

IXTQ30N60L2

 5.3. Size:210K  inchange semiconductor
 ixtq30n60p.pdf pdf_icon

IXTQ30N60L2

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor IXTQ30N60P FEATURES With TO-3PN packaging With low gate drive requirements Easy to drive 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXTQ250N075T, IXTQ26N50P, IXTQ26N60P, IXTQ26P20P, IXTQ280N055T, IXTQ30N50L, IXTQ30N50L2, IXTQ30N50P, IRF530, IXTQ30N60P, IXTQ32P20T, IXTQ36N30P, IXTQ36N50P, IXTQ36P15P, IXTQ40N50L2, IXTQ40N50Q, IXTQ42N25P