IXTT120N15P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXTT120N15P  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 600 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm

Тип корпуса: TO268

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IXTT120N15P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTT120N15P даташит

 ..1. Size:171K  ixys
 ixtq120n15p ixtt120n15p.pdf pdf_icon

IXTT120N15P

IXTQ 120N15P VDSS = 150 V PolarHTTM IXTT 120N15P ID25 = 120 A Power MOSFET RDS(on) 16 m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-3P (IXTQ) VDSS TJ = 25 C to 175 C 150 V VDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 150 V VDSS Continuous 20 V VGSM Transient 30 V ID25 TC = 25 C 120 A G D

 8.1. Size:175K  ixys
 ixtt12n150 ixth12n150.pdf pdf_icon

IXTT120N15P

High Voltage VDSS = 1500V IXTT12N150 ID25 = 12A Power MOSFET IXTH12N150 RDS(on) 2.2 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode TO-268 (IXTT) G Symbol Test Conditions Maximum Ratings S VDSS TJ = 25 C to 150 C 1500 V D (Tab) VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 1500 V VGSS Continuous 30 V TO-247 (IXTH) VG

 8.2. Size:122K  ixys
 ixth12n150 ixtt12n150.pdf pdf_icon

IXTT120N15P

High Voltage VDSS = 1500V IXTT12N150 ID25 = 12A Power MOSFETs IXTH12N150 RDS(on) 2 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode TO-268 (IXTT) G Symbol Test Conditions Maximum Ratings S VDSS TJ = 25 C to 150 C 1500 V D (Tab) VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 1500 V VGSS Continuous 30 V TO-247 (IXTH) VGSM Transient

 8.3. Size:142K  ixys
 ixtt12n150hv.pdf pdf_icon

IXTT120N15P

High Voltage VDSS = 1500V IXTT12N150HV ID25 = 12A Power MOSFET RDS(on) 2.2 N-Channel Enhancement Mode Fast Intrinsic Diode TO-268HV G Symbol Test Conditions Maximum Ratings S VDSS TJ = 25 C to 150 C 1500 V D (Tab) VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 1500 V G = Gate D = Drain VGSS Continuous 30 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXTT100N25P, IXTT10N100D, IXTT10N100D2, IXTT10P50, IXTT10P60, IXTT110N10L2, IXTT110N10P, IXTT11P50, IRF640, IXTT12N140, IXTT140N10P, IXTT16N10D2, IXTT16N20D2, IXTT16N50D2, IXTT16P60P, IXTT170N10P, IXTT1N100