Справочник MOSFET. BLF278

 

BLF278 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: BLF278
   Тип транзистора: LDMOS
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
   Тип корпуса: SOT262A1

 Аналог (замена) для BLF278

 

 

BLF278 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:157K  philips
blf278.pdf

BLF278
BLF278

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D091BLF278VHF push-pull power MOStransistorProduct Specification 2003 Sep 19Supersedes data of 1996 Oct 21Philips Semiconductors Product SpecificationVHF push-pull power MOS transistor BLF278FEATURES PINNING - SOT262A1 High power gainPIN DESCRIPTION Easy power control1 drain 1 Good thermal stability2 drain 2 Gold

 ..2. Size:135K  philips
blf278 3.pdf

BLF278
BLF278

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLF278VHF push-pull power MOStransistor1996 Oct 21Product SpecificationSupersedes data of October 1992Philips Semiconductors Product SpecificationVHF push-pull power MOS transistor BLF278FEATURES PINNING - SOT262A1 High power gainPIN SYMBOL DESCRIPTION Easy power control1d1 drain 1 Good thermal stability2d2 drain 2

 9.1. Size:81K  philips
blf277.pdf

BLF278
BLF278

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLF277VHF power MOS transistorSeptember 1992Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationVHF power MOS transistor BLF277FEATURES PIN CONFIGURATION High power gain Easy power control Gold metallization ensuresexcellent reliabilityandbook, halfpage Good thermal stability1 2 Withstands full load mi

 9.2. Size:85K  philips
blf276.pdf

BLF278
BLF278

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLF276VHF power MOS transistorDecember 1997Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationVHF power MOS transistor BLF276FEATURES PIN CONFIGURATION High power gain Easy power controlpage Good thermal stability1 2dDESCRIPTION3 4gSilicon N-channel enhancementsMBB072mode vertical D-MOS transistor

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top