BLF278. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BLF278

Тип транзистора: LDMOS

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 50 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm

Тип корпуса: SOT262A1

Аналог (замена) для BLF278

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BLF278 даташит

 ..1. Size:157K  philips
 blf278.pdf pdf_icon

BLF278

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D091 BLF278 VHF push-pull power MOS transistor Product Specification 2003 Sep 19 Supersedes data of 1996 Oct 21 Philips Semiconductors Product Specification VHF push-pull power MOS transistor BLF278 FEATURES PINNING - SOT262A1 High power gain PIN DESCRIPTION Easy power control 1 drain 1 Good thermal stability 2 drain 2 Gold

 ..2. Size:135K  philips
 blf278 3.pdf pdf_icon

BLF278

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLF278 VHF push-pull power MOS transistor 1996 Oct 21 Product Specification Supersedes data of October 1992 Philips Semiconductors Product Specification VHF push-pull power MOS transistor BLF278 FEATURES PINNING - SOT262A1 High power gain PIN SYMBOL DESCRIPTION Easy power control 1d1 drain 1 Good thermal stability 2d2 drain 2

 9.1. Size:81K  philips
 blf277.pdf pdf_icon

BLF278

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLF277 VHF power MOS transistor September 1992 Product specification Philips Semiconductors Product specification VHF power MOS transistor BLF277 FEATURES PIN CONFIGURATION High power gain Easy power control Gold metallization ensures excellent reliability andbook, halfpage Good thermal stability 1 2 Withstands full load mi

 9.2. Size:85K  philips
 blf276.pdf pdf_icon

BLF278

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLF276 VHF power MOS transistor December 1997 Product specification Philips Semiconductors Product specification VHF power MOS transistor BLF276 FEATURES PIN CONFIGURATION High power gain Easy power control page Good thermal stability 1 2 d DESCRIPTION 3 4 g Silicon N-channel enhancement s MBB072 mode vertical D-MOS transistor

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... BLF2425M7L250P, BLF2425M7LS250P, BLF244, BLF245, BLF245B, BLF246, BLF246B, BLF248, SI2302, BLF346, BLF368, BLF369, BLF3G21-30, BLF3G21-6, BLF404, BLF521, BLF542