BLF369 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: BLF369
Тип транзистора: LDMOS
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 32 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
Тип корпуса: SOT8002
BLF369 Datasheet (PDF)
blf369.pdf
BLF369Multi-use VHF power LDMOS transistorRev. 04 19 February 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionA general purpose 500 W LDMOS RF power transistor for pulsed and continuous waveapplications in the HF/VHF band up to 500 MHz.Table 1. Typical performanceTypical RF performance at VDS = 32 V and Th =25 C in a common-source 225 MHz test circuit.[1]
blf368.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D091BLF368VHF push-pull power MOStransistor1998 Jul 29Product specificationSupersedes data of September 1992Philips Semiconductors Product specificationVHF push-pull power MOS transistor BLF368FEATURES PIN CONFIGURATION High power gain Easy power control1 2 Good thermal stabilityd2ndbook, halfpage Gold metalliza
blf368 2.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D091BLF368VHF push-pull power MOStransistorProduct specification 2003 Sep 26Supersedes data of 1998 Jul 29Philips Semiconductors Product specificationVHF push-pull power MOS transistor BLF368FEATURES PIN CONFIGURATION High power gain Easy power control1 2 Good thermal stabilityd2ndbook, halfpage Gold metallization
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918