Справочник MOSFET. BSH105

 

BSH105 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSH105
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.417 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.05 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
   Тип корпуса: TO236AB
 

 Аналог (замена) для BSH105

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSH105 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:110K  philips
bsh105 3.pdfpdf_icon

BSH105

Philips Semiconductors Product specification N-channel enhancement mode BSH105 MOS transistorFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Very low threshold voltage d VDS = 20 V Fast switching Logic level compatible ID = 1.05 A Subminiature surface mountpackage RDS(ON) 250 m (VGS = 2.5 V)gVGS(TO) 0.4 VsGENERAL DESCRIPTION PINNING SOT23N-channel, enhancem

 ..2. Size:225K  nxp
bsh105.pdfpdf_icon

BSH105

Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain

 ..3. Size:35K  tysemi
bsh105.pdfpdf_icon

BSH105

Product specification N-channel enhancement mode BSH105 MOS transistorFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Very low threshold voltage d VDS = 20 V Fast switching Logic level compatible ID = 1.05 A Subminiature surface mountpackage RDS(ON) 250 m (VGS = 2.5 V)gVGS(TO) 0.4 VsGENERAL DESCRIPTION PINNING SOT23N-channel, enhancement mode, PIN DESCRIPTI

 ..4. Size:1517K  kexin
bsh105.pdfpdf_icon

BSH105

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETBSH105 (KSH105)SOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4 -0.13 Features VDS (V) = 20V ID = 1.05 A (VGS = 10V)1 2 RDS(ON) 200m (VGS = 4.5V)+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01 RDS(ON) 250m (VGS = 2.5V)1.9+0.1-0.1 RDS(ON) 300m (VGS = 1.8V)D1. Gate2. Source3. DrainGS Absolute Maximum R

Другие MOSFET... BLS7G2325L-105 , BLS7G2729L-350P , BLS7G2729LS-350P , BLS7G2933S-150 , BLS7G3135L-350P , BLS7G3135LS-350P , 2SK3408 , BSH103 , 4435 , BSH108 , BSH111 , BSH114 , BSH121 , BSH201 , BSH202 , BSH203 , BSH205 .

History: HM3018KR | BL9N90-A | 2SK1793-Z | VSE002N03MS-G | QM6008G | DAMH160N200 | BSO130N03MSG

 

 
Back to Top

 


 
.