BUK6C1R5-40C - аналоги и даташиты транзистора

 

BUK6C1R5-40C - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: BUK6C1R5-40C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 319 A
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0014 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
 

 Аналог (замена) для BUK6C1R5-40C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUK6C1R5-40C Datasheet (PDF)

 9.1. Size:185K  nxp
 buk6c2r1-55c.pdf pdf_icon

BUK6C1R5-40C

BUK6C2R1-55CN-channel TrenchMOS intermediate level FETRev. 3 18 January 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionIntermediate level gate drive N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC standard for use in high-performance au

 9.2. Size:188K  nxp
 buk6c3r3-75c.pdf pdf_icon

BUK6C1R5-40C

BUK6C3R3-75CN-channel TrenchMOS intermediate level FETRev. 3 18 January 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionIntermediate level gate drive N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC standard for use in high-performance au

Другие MOSFET... BUK662R7-55C , BUK663R2-40C , BUK663R5-30C , BUK663R5-55C , BUK663R7-75C , BUK664R4-55C , BUK664R6-40C , BUK664R8-75C , SKD502T , BUK6E2R0-30C , BUK6E2R3-40C , BUK6E3R2-55C , BUK6E3R4-40C , BUK6E4R0-75C , BUK7105-40AIE , BUK7105-40ATE , BUK7107-40ATC .

 

 
Back to Top

 


 
.