BUK6C1R5-40C - описание и поиск аналогов

 

BUK6C1R5-40C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUK6C1R5-40C

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 319 A

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0014 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для BUK6C1R5-40C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUK6C1R5-40C даташит

 9.1. Size:185K  nxp
 buk6c2r1-55c.pdf pdf_icon

BUK6C1R5-40C

BUK6C2R1-55C N-channel TrenchMOS intermediate level FET Rev. 3 18 January 2012 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Intermediate level gate drive N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC standard for use in high-performance au

 9.2. Size:188K  nxp
 buk6c3r3-75c.pdf pdf_icon

BUK6C1R5-40C

BUK6C3R3-75C N-channel TrenchMOS intermediate level FET Rev. 3 18 January 2012 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Intermediate level gate drive N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC standard for use in high-performance au

Другие MOSFET... BUK662R7-55C , BUK663R2-40C , BUK663R5-30C , BUK663R5-55C , BUK663R7-75C , BUK664R4-55C , BUK664R6-40C , BUK664R8-75C , STP75NF75 , BUK6E2R0-30C , BUK6E2R3-40C , BUK6E3R2-55C , BUK6E3R4-40C , BUK6E4R0-75C , BUK7105-40AIE , BUK7105-40ATE , BUK7107-40ATC .

History: PD6A8BA

 

 

 

 

↑ Back to Top
.