Справочник MOSFET. 40601

 

40601 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: 40601
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.4 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 8 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.05 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Выходная емкость (Cd): 5.5 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 200 Ohm
   Тип корпуса: TO72

 Аналог (замена) для 40601

 

 

40601 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:88K  onsemi
nss40601cf8-d.pdf

40601 40601

NSS40601CF8T1G40 V, 8.0 A, Low VCE(sat)NPN TransistorON Semiconductor's e2PowerEdge family of low VCE(sat)transistors are miniature surface mount devices featuring ultra lowsaturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. Thesehttp://onsemi.comare designed for use in low voltage, high speed switching applicationswhere affordable efficient energy control is importa

 0.2. Size:161K  onsemi
nss40601cf8t1g.pdf

40601 40601

NSS40601CF8T1G40 V, 8.0 A, Low VCE(sat)NPN TransistorON Semiconductor's e2PowerEdge family of low VCE(sat)transistors are miniature surface mount devices featuring ultra lowsaturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. Thesehttp://onsemi.comare designed for use in low voltage, high speed switching applicationswhere affordable efficient energy control is importa

Другие MOSFET... 3SK88 , 3SK88K , 3SK88L , 3SK90 , 3SK95 , 3SK96 , 3UT40 , 40600 , 75N75 , 40602 , 40603 , 40604 , 40673 , 40819 , 40820 , 40821 , 40822 .

 

 
Back to Top