40601 - Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: 40601
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.4 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.05 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 5.5 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 200 Ohm
Тип корпуса: TO72
Аналог (замена) для 40601
40601 технические параметры
nss40601cf8-d.pdf
NSS40601CF8T1G 40 V, 8.0 A, Low VCE(sat) NPN Transistor ON Semiconductor's e2PowerEdge family of low VCE(sat) transistors are miniature surface mount devices featuring ultra low saturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These http //onsemi.com are designed for use in low voltage, high speed switching applications where affordable efficient energy control is importa
nss40601cf8t1g.pdf
NSS40601CF8T1G 40 V, 8.0 A, Low VCE(sat) NPN Transistor ON Semiconductor's e2PowerEdge family of low VCE(sat) transistors are miniature surface mount devices featuring ultra low saturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These http //onsemi.com are designed for use in low voltage, high speed switching applications where affordable efficient energy control is importa
Другие MOSFET... 3SK88 , 3SK88K , 3SK88L , 3SK90 , 3SK95 , 3SK96 , 3UT40 , 40600 , IRF830 , 40602 , 40603 , 40604 , 40673 , 40819 , 40820 , 40821 , 40822 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP3100A | AP30P06K | AP30P06 | AP30N04K | AP30N03K | AP30H80K | AP30H60K | AP30H220G | AP30H180K | AP30H150Q | AP30H150K | AP30H150G | AP3065SD | AP3004S | AP3003 | AP3002S
Popular searches
2sc1815 | irfz44 | 2n5551 | irf540n | irf3205 mosfet | 2n3055 | irfp260n | 2n2222 datasheet