BUK7620-55A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUK7620-55A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 118 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 54 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для BUK7620-55A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUK7620-55A даташит

 4.1. Size:55K  philips
 buk7620-55 2.pdf pdf_icon

BUK7620-55A

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor BUK7620-55 Standard level FET GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT standard level field-effect power transistor in a plastic envelope VDS Drain-source voltage 55 V suitable for surface mounting. Using ID Drain current (DC) 52 A trench technology the devi

 6.1. Size:315K  philips
 buk7520-100a buk7620-100a.pdf pdf_icon

BUK7620-55A

 6.2. Size:779K  nxp
 buk7620-100a.pdf pdf_icon

BUK7620-55A

BUK7620-100A N-channel TrenchMOS standard level FET Rev. 2 2 February 2011 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC standard for use in automotive critical applications. 1.2

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... BUK7610-55AL, BUK7611-55A, BUK7611-55B, BUK7613-75B, BUK7614-55A, BUK7619-100B, BUK761R8-30C, BUK7620-100A, P55NF06, BUK7623-75A, BUK7624-55A, BUK7626-100B, BUK7628-100A, BUK7628-55A, BUK762R0-40C, BUK762R7-30B, BUK7635-100A