BUK7675-55A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUK7675-55A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для BUK7675-55A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUK7675-55A даташит

 ..1. Size:334K  philips
 buk7575-55a buk7675-55a.pdf pdf_icon

BUK7675-55A

BUK7575-55A; BUK7675-55A TrenchMOS standard level FET Rev. 01 8 December 2000 Product specification 1. Description N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOS technology, featuring very low on-state resistance. Product availability BUK7575-55A in SOT78 (TO-220AB) BUK7675-55A in SOT404 (D 2-PAK). 2. Features TrenchMOS tec

 ..2. Size:722K  nxp
 buk7675-55a.pdf pdf_icon

BUK7675-55A

BUK7675-55A N-channel TrenchMOS standard level FET 25 August 2014 Product data sheet 1. General description Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC standard for use in automotive critical applications. 2. Features and benefits AEC Q101

 ..3. Size:1142K  cn vbsemi
 buk7675-55a.pdf pdf_icon

BUK7675-55A

BUK7675-55A www.VBsemi.tw N-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Max) Definition Surface Mount 0.023 at VGS = 10 V 50 60 66 nC Available in Tape and Reel 0.027 at VGS = 4.5 V 40 Dynamic dV/dt Rating Logic-Level Gate Drive Fast Switching Compliant to RoHS

 4.1. Size:56K  philips
 buk7675-55 2.pdf pdf_icon

BUK7675-55A

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor BUK7675-55 Standard level FET GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT standard level field-effect power transistor in a plastic envelope VDS Drain-source voltage 55 V suitable for surface mounting. Using ID Drain current (DC) 19.7 A trench technology the de

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... BUK763R6-40C, BUK7640-100A, BUK764R0-55B, BUK764R0-75C, BUK764R3-40B, BUK765R2-40B, BUK7660-100A, BUK7675-100A, 13N50, BUK78150-55A, BUK7880-55A, BUK7905-40AI, BUK7905-40AIE, BUK7905-40ATE, BUK7907-40ATC, BUK7907-55AIE, BUK7907-55ATE