Биполярный транзистор 2SB276 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: 2SB276
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 105 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 75 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.4 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 35
   Корпус транзистора: TO3
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам