2SB566AK datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SB566AK  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO220

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SB566AK

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB566AK даташит

 7.1. Size:257K  jmnic
 2sb566 2sb566a.pdf pdf_icon

2SB566AK

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB566 2SB566A DESCRIPTION With TO-220C package Complement to type 2SD476/476A APPLICATIONS For low frequency power amplifier power switching applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-220) and symbol 3 Base Absolute maximum ratin

 7.2. Size:150K  inchange semiconductor
 2sb566 2sb566a.pdf pdf_icon

2SB566AK

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB566 2SB566A DESCRIPTION With TO-220C package Complement to type 2SD476/476A APPLICATIONS For low frequency power amplifier power switching applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-220) and symbol 3 Base Absol

 8.1. Size:33K  hitachi
 2sb566.pdf pdf_icon

2SB566AK

2SB566(K), 2SB566A(K) Silicon PNP Triple Diffused Application Low frequency power amplifier power switching complementary pair with 2SD476(K) and 2SD476A(K) Outline TO-220AB 1. Base 2. Collector (Flange) 1 3. Emitter 2 3 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Ratings Item Symbol 2SB566(K) 2SB566A(K) Unit Collector to base voltage VCBO 70 70 V Collector to emitter voltage V

 8.2. Size:218K  inchange semiconductor
 2sb566.pdf pdf_icon

2SB566AK

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB566 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage V = -1.0(V)(Max)@I = -2A CE(sat) C Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -50V(Min) (BR)CEO Complement to Type 2SD476 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for low frequency power amplifier and power switching applica

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SB561, 2SB562, 2SB563, 2SB564, 2SB565, 2SB565A, 2SB566, 2SB566A, 2SC1815, 2SB566B, 2SB566C, 2SB566K, 2SB567, 2SB568, 2SB569, 2SB56A, 2SB57