2SB596Y. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SB596Y

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 130 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для 2SB596Y

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB596Y даташит

 8.1. Size:69K  wingshing
 2sb596.pdf pdf_icon

2SB596Y

2SB596 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER TO-220 Complement to 2SD526 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO -80 V Collector-Emitter Voltage VCEO -80 V Emitter-Base voltage VEBO -5 V Collector Current (DC) IC -4 A Collector Dissipation (Tc=25 PC 30 W Junc

 8.2. Size:235K  jmnic
 2sb596.pdf pdf_icon

2SB596Y

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB596 DESCRIPTION With TO-220C package Complement to type 2SD526 Good linearity of hFE APPLICATIONS Power amplifier applications Recommend for 20 25W high fidelity audio frequency amplifier output stage PINNING PIN DESCRIPTION 1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base 3 Base Absolute

 8.3. Size:527K  semtech
 st2sb596.pdf pdf_icon

2SB596Y

ST 2SB596 PNP Epitaxial Silicon Power Transistor for power amplifier applications TO-220 Plastic Package O Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value Unit 80 V Collector Base Voltage -VCBO 80 V Collector Emitter Voltage -VCEO 5 V Emitter Base Voltage -VEBO 4 A Collector Current -IC 0.4 A Base Current -IB O Power Dissipation (Tc = 25 C) PC 30 W O Ju

 8.4. Size:219K  inchange semiconductor
 2sb596.pdf pdf_icon

2SB596Y

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB596 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage V = -1.7(V)(Max)@I = -3A CE(sat) C Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -80V(Min) (BR)CEO Complement to Type 2SD526 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power amplifier applications. Recommended for 20 25W high-fidelity a

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SB59, 2SB595, 2SB595O, 2SB595R, 2SB595Y, 2SB596, 2SB596O, 2SB596R, BC547B, 2SB598, 2SB598D, 2SB598E, 2SB598F, 2SB598G, 2SB598NP, 2SB599, 2SB60