Справочник транзисторов. 2SB656

 

Биполярный транзистор 2SB656 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SB656
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 35
   Корпус транзистора: TO3
 

 Аналог (замена) для 2SB656

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB656 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:356K  jmnic
 2sb656.pdf pdf_icon

2SB656

Product Specification www.jmnic.comSilicon PNP Power Transistors 2SB656 DESCRIPTION With TO-3 package High power dissipation APPLICATIONS For use in power amplifier applications PINNING(see Fig.2) PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplified outline (TO-3) and symbol3 CollectorAbsolute maximum ratings(Ta=) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNITVCBO Coll

 ..2. Size:211K  inchange semiconductor
 2sb656.pdf pdf_icon

2SB656

isc Silicon PNP Power Transistors 2SB656DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -160V(Min)(BR)CEOHigh Power Dissipation-: P = 125W(Max)@T =25C CComplement to Type 2SD676Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for low frequency power amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

 9.1. Size:211K  inchange semiconductor
 2sb655.pdf pdf_icon

2SB656

isc Silicon PNP Power Transistors 2SB655DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -160V(Min)(BR)CEOHigh Power Dissipation-: P = 100W(Max)@T =25C CComplement to Type 2SD675Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for low frequency power amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

 9.2. Size:211K  inchange semiconductor
 2sb653.pdf pdf_icon

2SB656

isc Silicon PNP Power Transistors 2SB653DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -100V(Min)(BR)CEOHigh Power Dissipation-: P = 60W(Max)@T =25C CComplement to Type 2SD673Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for low frequency power amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SB650 , 2SB650H , 2SB653 , 2SB653A , 2SB654 , 2SB654A , 2SB655 , 2SB655A , C945 , 2SB656A , 2SB66 , 2SB668 , 2SB668A , 2SB669 , 2SB669A , 2SB66H , 2SB67 .

 

 
Back to Top

 


 
.