2SB656 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SB656  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 35

Корпус транзистора: TO3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SB656

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB656 даташит

 ..1. Size:356K  jmnic
 2sb656.pdf pdf_icon

2SB656

Product Specification www.jmnic.com Silicon PNP Power Transistors 2SB656 DESCRIPTION With TO-3 package High power dissipation APPLICATIONS For use in power amplifier applications PINNING(see Fig.2) PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol 3 Collector Absolute maximum ratings(Ta= ) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT VCBO Coll

 ..2. Size:211K  inchange semiconductor
 2sb656.pdf pdf_icon

2SB656

isc Silicon PNP Power Transistors 2SB656 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -160V(Min) (BR)CEO High Power Dissipation- P = 125W(Max)@T =25 C C Complement to Type 2SD676 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for low frequency power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

 9.1. Size:211K  inchange semiconductor
 2sb655.pdf pdf_icon

2SB656

isc Silicon PNP Power Transistors 2SB655 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -160V(Min) (BR)CEO High Power Dissipation- P = 100W(Max)@T =25 C C Complement to Type 2SD675 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for low frequency power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

 9.2. Size:211K  inchange semiconductor
 2sb653.pdf pdf_icon

2SB656

isc Silicon PNP Power Transistors 2SB653 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -100V(Min) (BR)CEO High Power Dissipation- P = 60W(Max)@T =25 C C Complement to Type 2SD673 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for low frequency power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SB650, 2SB650H, 2SB653, 2SB653A, 2SB654, 2SB654A, 2SB655, 2SB655A, TIP41C, 2SB656A, 2SB66, 2SB668, 2SB668A, 2SB669, 2SB669A, 2SB66H, 2SB67